IKD10N60RF Infineon
Produktcode: 113379
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-252-3
Vces: 600 V
Vce: 2,2 V
Ic 25: 20 A
Ic 100: 10 А
Pd 25: 150 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 12/168
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IKD10N60RF | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC |
auf Bestellung 4571 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKD10N60RF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IKD10N60 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 72 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V Gate Charge: 64 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 150 W |
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