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IKP10N60TXKSA1

IKP10N60TXKSA1 Infineon Technologies

infineon-ikp10n60t-datasheet-v02_06-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details IKP10N60TXKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 115 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns, Switching Energy: 430µJ, Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 62 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 110 W.

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IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikp10n60t-datasheet-v02_06-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD65C1982C915EA&compId=IKP10N60T.pdf?ci_sign=3662fc1223253be4b0852eb3ea1462e0c0c8adde Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD65C1982C915EA&compId=IKP10N60T.pdf?ci_sign=3662fc1223253be4b0852eb3ea1462e0c0c8adde Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IKP10N60T_DataSheet_v02_06_EN-3361884.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A
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IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IKP10N60T+Rev2_3G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bceea1b13587 Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
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IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikp10n60t-datasheet-v02_06-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 Hersteller : INFINEON 2331898.pdf Description: INFINEON - IKP10N60TXKSA1 - IGBT, Universal, 20 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IKP10N60TXKSA1
Produktcode: 132883
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