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IKP40N65H5XKSA1

IKP40N65H5XKSA1 Infineon Technologies

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Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IKP40N65H5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 74A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 62 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns, Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 74 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 255 W.

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IKP40N65H5XKSA1 IKP40N65H5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 38721313622471488ds_ikp_ikw40n65h51.1.pdffileiddb3a30433af5291e013afa8ba6fb6078fo..pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IKP40N65H5XKSA1 IKP40N65H5XKSA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0001299966-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKP40N65H5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IKP40N65H5XKSA1
Produktcode: 186200
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IKP40N65H5XKSA1 IKP40N65H5XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IKP40N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Gate charge: 95nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
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Supplier Device Package: PG-TO220-3
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns
Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
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IKP40N65H5XKSA1 IKP40N65H5XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IKP40N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Gate charge: 95nC
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