IKW08T120FKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKW08T120FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 16A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 80 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/450ns, Switching Energy: 1.37mJ, Test Condition: 600V, 8A, 81Ohm, 15V, Gate Charge: 53 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 70 W.
Weitere Produktangebote IKW08T120FKSA1 nach Preis ab 2.75 EUR bis 6.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IKW08T120FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 8A Pulsed collector current: 24A Turn-on time: 63ns Turn-off time: 520ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 70W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 53nC Technology: TRENCHSTOP™ Mounting: THT Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IKW08T120FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 8A Pulsed collector current: 24A Turn-on time: 63ns Turn-off time: 520ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 70W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 53nC Technology: TRENCHSTOP™ Mounting: THT Case: TO247-3 |
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IKW08T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 8A |
auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW08T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/450ns Switching Energy: 1.37mJ Test Condition: 600V, 8A, 81Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 70 W |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW08T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW08T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 382 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW08T120FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW08T120FKSA1 - IGBT, Universal, 16 A, 2.2 V, 70 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV rohsCompliant: YES Verlustleistung: 70W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW08T120FKSA1 Produktcode: 166948 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IKW08T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |