IKW20N65ET7XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKW20N65ET7XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 70 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/210ns, Switching Energy: 360µJ (on), 360µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 128 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 136 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote IKW20N65ET7XKSA1 nach Preis ab 2.21 EUR bis 6.21 EUR
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IKW20N65ET7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/210ns Switching Energy: 360µJ (on), 360µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 128 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 136 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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IKW20N65ET7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package |
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IKW20N65ET7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT with Anti-parallel Diode |
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IKW20N65ET7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW20N65ET7XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 136 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IKW20N65ET7XKSA1 Produktcode: 178407
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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| IKW20N65ET7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005348286 |
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