IKW30N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Gate-emitter voltage: ±20V
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Technische Details IKW30N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™ 5, Power dissipation: 75W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 155nC, Kind of package: tube, Collector current: 30A, Collector-emitter voltage: 650V, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Pulsed collector current: 90A, Turn-on time: 51ns, Turn-off time: 376ns, Gate-emitter voltage: ±20V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IKW30N65WR5 | Infineon technologies |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IKW30N65WR5 |
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