IKW40N120H3
Produktcode: 153177
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Weitere Produktangebote IKW40N120H3 nach Preis ab 5.81 EUR bis 14.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IKW40N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3 Transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 80A Power dissipation: 483W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120H3 | Infineon Technologies |
High speed Trans IGBT Chip |
auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120H3 | Infineon |
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C; IKW40N120H3 TIKW40n120h3Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N120H3 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IKW40N120H3FKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 8.97 EUR |
| 13+ | 7 EUR |
| 14+ | 6.28 EUR |
| 30+ | 5.81 EUR |
| IKW40N120H3 |
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Hersteller: Infineon Technologies
High speed Trans IGBT Chip
High speed Trans IGBT Chip
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 13.59 EUR |
| 25+ | 12.78 EUR |
| 50+ | 12 EUR |
| 100+ | 11.32 EUR |
| 250+ | 10.81 EUR |
| IKW40N120H3 |
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Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C; IKW40N120H3 TIKW40n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C; IKW40N120H3 TIKW40n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 13.88 EUR |
| IKW40N120H3 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 14.77 EUR |
| 10+ | 10.41 EUR |
| 100+ | 8.43 EUR |
| 480+ | 7.47 EUR |
| 1200+ | 6.7 EUR |




