IKW40N65WR5XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKW40N65WR5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 112 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 42ns/432ns, Switching Energy: 770µJ (on), 160µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V, Gate Charge: 193 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 230 W.
Weitere Produktangebote IKW40N65WR5XKSA1 nach Preis ab 2.55 EUR bis 8.2 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IKW40N65WR5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW40N65WR5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW40N65WR5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW40N65WR5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 115W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Turn-on time: 60ns Turn-off time: 448ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IKW40N65WR5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 115W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Turn-on time: 60ns Turn-off time: 448ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65WR5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IKW40N65WR5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65WR5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65WR5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW40N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65WR5XKSA1 Produktcode: 200399 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
Produkt ist nicht verfügbar
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IKW40N65WR5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IKW40N65WR5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 112 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 42ns/432ns Switching Energy: 770µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 193 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 230 W |
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