IKW50N65H5FKSA1
Produktcode: 125871
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Weitere Produktangebote IKW50N65H5FKSA1 nach Preis ab 2.53 EUR bis 13.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IKW50N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 Manufacturer series: H5 |
auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
auf Bestellung 568 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 57 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 305 W |
auf Bestellung 3865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65H5FKSA1 | Infineon |
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode IKW50N65H5 TIKW50n65h5 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N65H5FKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 36 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 36 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IKW50N65H5FKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 16+ | 4.69 EUR |
| 17+ | 4.22 EUR |
| 19+ | 3.79 EUR |
| IKW50N65H5FKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 23+ | 6.54 EUR |
| 50+ | 3.59 EUR |
| 100+ | 3.44 EUR |
| 200+ | 2.82 EUR |
| IKW50N65H5FKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.86 EUR |
| 10+ | 3.84 EUR |
| 100+ | 3.15 EUR |
| 480+ | 2.53 EUR |
| IKW50N65H5FKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 57 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 57 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
auf Bestellung 3865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 7.16 EUR |
| 30+ | 3.99 EUR |
| 120+ | 3.29 EUR |
| 510+ | 3 EUR |
| IKW50N65H5FKSA1 |
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Hersteller: Infineon
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode IKW50N65H5 TIKW50n65h5
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode IKW50N65H5 TIKW50n65h5
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 13.69 EUR |
| IKW50N65H5FKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IKW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IKW50N65H5FKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IKW50N65H5FKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)