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IKW60N60H3FKSA1

Infineon-IKW60N60H3-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd87e517004f
Produktcode: 198550
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies ikw60n60h3_1_2.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb3a304339dcf4b10139dd87e5.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+7.28 EUR
100+6.82 EUR
500+6.32 EUR
1000+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies ikw60n60h3_1_2.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb3a304339dcf4b10139dd87e5.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+7.28 EUR
100+6.82 EUR
500+6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW60N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.51 EUR
11+7.76 EUR
12+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies ikw60n60h3_1_2.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb3a304339dcf4b10139dd87e5.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+13.09 EUR
30+7.53 EUR
120+6.01 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies ikw60n60h3_1_2.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb3a304339dcf4b10139dd87e5.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+13.09 EUR
30+7.37 EUR
120+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW60N60H3-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd87e517004f Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.49 EUR
30+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 INFINEON 3705455.pdf Description: INFINEON - IKW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.15 EUR
17+14.36 EUR
20+10.95 EUR
50+9.91 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IKW60N60H3FKSA1 ikw60n60h3_1_2.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb3a304339dcf4b10139dd87e5.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f.pdf
IKW60N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
89+7.28 EUR
100+6.82 EUR
500+6.32 EUR
1000+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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IKW60N60H3FKSA1 ikw60n60h3_1_2.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb3a304339dcf4b10139dd87e5.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f.pdf
IKW60N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 688 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
89+7.28 EUR
100+6.82 EUR
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Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3.pdf
IKW60N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 28 Stücke:
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11+7.76 EUR
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IKW60N60H3FKSA1 ikw60n60h3_1_2.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb3a304339dcf4b10139dd87e5.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f.pdf
IKW60N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+13.09 EUR
30+7.53 EUR
120+6.01 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IKW60N60H3FKSA1 ikw60n60h3_1_2.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb3a304339dcf4b10139dd87e5.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f.pdf
IKW60N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+13.09 EUR
30+7.37 EUR
120+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IKW60N60H3FKSA1 Infineon-IKW60N60H3-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd87e517004f
IKW60N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
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IKW60N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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14+18.15 EUR
17+14.36 EUR
20+10.95 EUR
50+9.91 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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