IKW75N60H3FKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKW75N60H3FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 80A 428W TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 190 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns, Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V, Gate Charge: 470 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 428 W.
Weitere Produktangebote IKW75N60H3FKSA1 nach Preis ab 6.82 EUR bis 20.88 EUR
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IKW75N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW75N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW75N60H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-on time: 85ns Turn-off time: 332ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IKW75N60H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-on time: 85ns Turn-off time: 332ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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IKW75N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW75N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
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IKW75N60H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW75N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 428W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
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IKW75N60H3FKSA1 Produktcode: 138035 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IKW75N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW75N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IKW75N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 600V 80A 428W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 190 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W |
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