Technische Details IKW75N60T
- IGBT, N, 600V, 75A, TO-247
- Transistor Type:IGBT
- Transistor Polarity:N Channel
- Voltage Vces:600V
- Max Current Ic Continuous a:75A
- Max Voltage Vce Sat:2V
- Power Dissipation:428W
- Case Style:TO-247
- Termination Type:Through Hole
- Operating Temperature Range:-40`C to +175`C
- SVHC:Cobalt dichloride
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
- No. of Transistors:1
- DC Collector Current:80A
- Max Power Dissipation:428W
Weitere Produktangebote IKW75N60T nach Preis ab 6.32 EUR bis 14.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IKW75N60T | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 1180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60T | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 75A |
auf Bestellung 1194 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N60T | Hersteller : Infineon |
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60t Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IKW75N60T | Hersteller : Infineon |
IGBTs - Single, 600V, 80A, TO-247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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