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IKW75N60T

Produktcode: 40498
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Technische Details IKW75N60T

  • IGBT, N, 600V, 75A, TO-247
  • Transistor Type:IGBT
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V
  • Max Current Ic Continuous a:75A
  • Max Voltage Vce Sat:2V
  • Power Dissipation:428W
  • Case Style:TO-247
  • Termination Type:Through Hole
  • Operating Temperature Range:-40`C to +175`C
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
  • No. of Transistors:1
  • DC Collector Current:80A
  • Max Power Dissipation:428W

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IKW75N60T IKW75N60T Infineon Technologies infineonikw75n60tdsv0208en.pdf description Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+13.36 EUR
25+12.57 EUR
50+11.8 EUR
100+11.13 EUR
250+10.62 EUR
500+10.17 EUR
1000+9.69 EUR
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IKW75N60T IKW75N60T Infineon Technologies Infineon-IKW75N60T-DS-v02_08-EN.pdf description IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 75A
auf Bestellung 1157 Stücke:
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IKW75N60T IKW75N60T Infineon info-tikw75n60t.pdf description Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
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IKW75N60T Infineon IKW75N60T_Rev2_6G.pdf description IGBTs - Single, 600V, 80A, TO-247-3 Транзистори
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IKW75N60T
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 75A
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IKW75N60T
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Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
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