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IKW75N60TFKSA1

IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

IKW75N60T.pdf Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 401ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Gate charge: 470nC
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Technology: TRENCHSTOP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 121 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns, Switching Energy: 4.5mJ, Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 470 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 428 W.

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IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 401ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Gate charge: 470nC
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Technology: TRENCHSTOP™
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IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonikw75n60tdsv0208en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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15+10.13 EUR
24+5.74 EUR
25+5.47 EUR
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IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonikw75n60tdsv0208en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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25+5.48 EUR
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IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonikw75n60tdsv0208en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonikw75n60tdsv0208en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IKW75N60T-DS-v02_08-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 75A
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IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25 Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
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IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 Hersteller : INFINEON INFNS30104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW75N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IKW75N60TFKSA1 Hersteller : Infineon IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1
Produktcode: 169611
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IKW75N60T.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 75 A
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 33/330
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IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 1848ikw75n60t_rev2_7g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004file.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonikw75n60tdsv0208en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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