IKW75N60TFKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKW75N60TFKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 121 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns, Switching Energy: 4.5mJ, Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 470 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 428 W.
Weitere Produktangebote IKW75N60TFKSA1 nach Preis ab 5.37 EUR bis 14.87 EUR
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IKW75N60TFKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 69ns Turn-off time: 401ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IKW75N60TFKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 69ns Turn-off time: 401ns |
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IKW75N60TFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 121 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns Switching Energy: 4.5mJ Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W |
auf Bestellung 1319 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 591 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 75A |
auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW75N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 428W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6648 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW75N60TFKSA1 | Hersteller : Infineon |
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60t Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 Produktcode: 169611
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IKW75N60TFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW75N60TFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IKW75N60TFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |