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IKW75N60TFKSA1

IKW75N60TFKSA1

IKW75N60T.pdf
Produktcode: 169611
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Hersteller:
Gehäuse: TO-247-3
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,5 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 75 А
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 33/330
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 Infineon Technologies infineonikw75n60tdsv0208en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.68 EUR
30+7.21 EUR
120+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 Infineon Technologies infineonikw75n60tdsv0208en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.72 EUR
30+7.25 EUR
120+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 Infineon Technologies infineonikw75n60tdsv0208en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 403 Stücke:
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21+8.57 EUR
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IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 Infineon Technologies infineonikw75n60tdsv0208en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.34 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON INFNS30104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW75N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
Verlustleistung: 428W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+22.87 EUR
14+17.1 EUR
18+11.97 EUR
50+11.06 EUR
100+10.13 EUR
250+9.94 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Gate charge: 470nC
Technology: TRENCHSTOP™
auf Bestellung 101 Stücke:
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IKW75N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N60T-DS-v02_08-EN.pdf Транзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic = 80 А, Pmax, Вт = 428, tз, мс = 0,033, Uce(on), В = 2, Р, Вт = 428, Тексп, °C = -40...+175, Тип монт. = на плату, td(off), нс = 330,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Очікується: 50 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
verfügbar 25 Stücke:
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IKW75N60TFKSA1 infineonikw75n60tdsv0208en.pdf
IKW75N60TFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 403 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
24+7.68 EUR
30+7.21 EUR
120+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IKW75N60TFKSA1 infineonikw75n60tdsv0208en.pdf
IKW75N60TFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW75N60TFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IKW75N60TFKSA1
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW75N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKW75N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
Verlustleistung: 428W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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11+22.87 EUR
14+17.1 EUR
18+11.97 EUR
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100+10.13 EUR
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IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T.pdf
IKW75N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Gate charge: 470nC
Technology: TRENCHSTOP™
auf Bestellung 101 Stücke:
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IKW75N60TFKSA1 Infineon-IKW75N60T-DS-v02_08-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Транзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic = 80 А, Pmax, Вт = 428, tз, мс = 0,033, Uce(on), В = 2, Р, Вт = 428, Тексп, °C = -40...+175, Тип монт. = на плату, td(off), нс = 330,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Очікується: 50 Од. вим: шт
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IRFB4115PBF
Produktcode: 37473
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IRFB4115PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В
Drain-Strom Idd, A: 104 А
Montage: THT
auf Bestellung: 37 St.
  • 37 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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