IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 31+ | 4.68 EUR |
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Technische Details IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 114 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns, Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V, Gate Charge: 436 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 536 W.
Weitere Produktangebote IKW75N65EL5XKSA1 nach Preis ab 3.63 EUR bis 10.49 EUR
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IKW75N65EL5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EL5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 3290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EL5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EL5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EL5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EL5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5 |
auf Bestellung 317 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65EL5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW75N65EL5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 536W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EL5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW75N65EL5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
auf Bestellung 730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EL5XKSA1 Produktcode: 190876
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IKW75N65EL5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 114 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V Gate Charge: 436 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 536 W |
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