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IKW75N65EL5XKSA1

IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IKW75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd6e4e3acf Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
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Technische Details IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 114 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns, Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V, Gate Charge: 436 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 536 W.

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IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikw75n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IKW75N65EL5_DataSheet_v02_02_EN-3362170.pdf IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5
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IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0000241586-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW75N65EL5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikw75n65el5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 330 Stücke:
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IKW75N65EL5XKSA1
Produktcode: 190876
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