Technische Details IPB100N04S3-03 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W, Case: PG-TO263-3, Technology: OptiMOS™ T, Drain current: 100A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 40V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.5mΩ, Mounting: SMD, Power dissipation: 214W, Gate charge: 110nC, Polarisation: unipolar.
Weitere Produktangebote IPB100N04S3-03
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IPB100N04S3-03 | Infineon Technologies |
 MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPB100N04S303ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W Case: PG-TO263-3 Technology: OptiMOS™ T Drain current: 100A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 214W Gate charge: 110nC Polarisation: unipolar |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPB100N04S3-03 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T
MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T
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| IPB100N04S303ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W
Case: PG-TO263-3
Technology: OptiMOS™ T
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 214W
Gate charge: 110nC
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W
Case: PG-TO263-3
Technology: OptiMOS™ T
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 214W
Gate charge: 110nC
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