Technische Details IPB100N04S3-03 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 100A, Power dissipation: 214W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 110nC, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™ T.
Weitere Produktangebote IPB100N04S3-03
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IPB100N04S3-03 | Infineon Technologies |
 MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPB100N04S303ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 214W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ T |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPB100N04S3-03 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T
MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T
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| IPB100N04S303ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
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