Technische Details IPD95R750P7 Infineon
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; DPAK; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 950V, Drain current: 5.5A, Power dissipation: 73W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.75Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 23nC, Kind of package: reel, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.
Weitere Produktangebote IPD95R750P7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IPD95R750P7 | Infineon Technologies |
 MOSFETs LOW POWER_NEW |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPD95R750P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 5.5A Power dissipation: 73W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Version: ESD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD95R750P7 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
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| IPD95R750P7ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 73W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 73W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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