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IPN50R3K0CEATMA1

Name: IPN50R3K0CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 19505334-5
Price: 142.78 EUR
Availability: InStock

Infineon-IPN50R3K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae0c05ad5

Produktcode: 193023

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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IPN50R3K0CEATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

1319infineon-ipn50r3k0ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf

Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

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IPN50R3K0CEATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

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IPN50R3K0CEATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

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IPN50R3K0CEATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

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IPN50R3K0CEATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IPN50R3K0CE_DS_v02_01_EN-1227203.pdf

MOSFETs CONSUMER

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IPN50R3K0CEATMA1

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0002272755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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IPN50R3K0CEATMA1

Hersteller : INFINEON

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IPN50R3K0CEATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 1.7A 3-Pin SOT-223 T/R

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Тип деталі: Лінза

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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 5.3
Rds(on),Om: 0.058
Ciss, pF/Qg, nC: 780/19
Gebr.: 2P
/: SMD

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SN74LS145DR
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fsn74145

Hersteller: TI
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-16
Beschreibung: Decoders / Demultiplexers input 4,output 10
Analog 74хх: SMD
Strom.V: 4,75…5,25V
T°C: 0...+70°C

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