Produkte > Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden > VB20200C-E3/8W

VB20200C-E3/8W

v20200c.pdf
Produktcode: 186199
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote VB20200C-E3/8W nach Preis ab 1.38 EUR bis 5.02 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
VB20200C-E3/8W VB20200C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division v20200c.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 200V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.69 EUR
1600+1.56 EUR
2400+1.5 EUR
4000+1.43 EUR
5600+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VB20200C-E3/8W VB20200C-E3/8W Vishay Semiconductors v20200c.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 200 Volt Dual TrenchMOS
auf Bestellung 8237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.01 EUR
10+3.25 EUR
100+2.23 EUR
500+1.7 EUR
800+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VB20200C-E3/8W VB20200C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division v20200c.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 200V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
auf Bestellung 7725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.02 EUR
10+3.24 EUR
100+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VB20200C-E3/8W VISHAY v20200c.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK,TO263AB; SMD; 200V; 20A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK; TO263AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 20A
Max. forward voltage: 1.6V
Leakage current: 0.15mA
Max. forward impulse current: 120A
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VB20200C-E3/8W v20200c.pdf
VB20200C-E3/8W
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 200V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.69 EUR
1600+1.56 EUR
2400+1.5 EUR
4000+1.43 EUR
5600+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VB20200C-E3/8W v20200c.pdf
VB20200C-E3/8W
Hersteller: Vishay Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 200 Volt Dual TrenchMOS
auf Bestellung 8237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.01 EUR
10+3.25 EUR
100+2.23 EUR
500+1.7 EUR
800+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VB20200C-E3/8W v20200c.pdf
VB20200C-E3/8W
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 200V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
auf Bestellung 7725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+5.02 EUR
10+3.24 EUR
100+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VB20200C-E3/8W v20200c.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK,TO263AB; SMD; 200V; 20A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK; TO263AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 20A
Max. forward voltage: 1.6V
Leakage current: 0.15mA
Max. forward impulse current: 120A
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

IPN50R3K0CEATMA1
Produktcode: 193023
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Infineon-IPN50R3K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae0c05ad5
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LTC4366ITS8-1#TRMPBF
Produktcode: 191116
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
436612fe.pdf

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD6030-220-R
Produktcode: 188135
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
eaton-sd6030-low-profile-shielded-drum-core-power-inductors-data-sheet.pdf
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF18N50D-E3
Produktcode: 188008
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
sihf18n50d.pdf
SIHF18N50D-E3
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 550 В
Drain-Strom Idd, A: 18 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,28 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1500/38
Montage: THT
auf Bestellung: 4 St.
  • 4 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.22 EUR
10+7.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS438DN-T1-GE3
Produktcode: 186242
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
sis438dn.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH