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IPT60R065S7XTMA1

Infineon-IPT60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc253e7b6779a
Produktcode: 213119
Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonipt60r065s7datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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42+3.44 EUR
43+3.27 EUR
44+3.1 EUR
100+2.94 EUR
250+2.78 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.46 EUR
3000+2.42 EUR
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IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonipt60r065s7datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonipt60r065s7datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPT60R065S7_DataSheet_v02_01_EN-3362556.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
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IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Hersteller : INFINEON 3154688.pdf Description: INFINEON - IPT60R065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Hersteller : INFINEON 3154688.pdf Description: INFINEON - IPT60R065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipt60r065s7-datasheet-v02_01-en.pdf N Channel Power Mosfet
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IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonipt60r065s7datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc253e7b6779a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 8A; Idm: 126A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ S7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 126A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPT60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc253e7b6779a Description: MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
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IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPT60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc253e7b6779a Description: MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
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IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc253e7b6779a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 8A; Idm: 126A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ S7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 126A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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