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IPW60R045CPFKSA1

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Produktcode: 211767
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CPFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonipw60r045cpdsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CPFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonipw60r045cpdsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CPFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonipw60r045cpdsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CPFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPW60R045CP-DS-v02_02-en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
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10+19.78 EUR
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IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CPFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPW60R045CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d8e55489b Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
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1+23.14 EUR
30+14.23 EUR
120+12.58 EUR
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IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CPFKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R045CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 431W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ CP
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4+23.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CPFKSA1 Hersteller : INFINEON INFNS17427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R045CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CPFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonipw60r045cpdsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IRFBG30PBF
Produktcode: 29889
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irfbg30pbf-datasheet.pdf
IRFBG30PBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT
auf Bestellung 36 St.:
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L7805CV
Produktcode: 24792
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description L7800 series.pdf
L7805CV
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 35
Uout,V: 5
Iout,A: 1,5 А
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: 0…125
verfügbar: 1823 St.
118 St. - stock Köln
1705 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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BC807-40
Produktcode: 3638
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BC807_.pdf
BC807-40
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 80 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.5
h21,max: 600
ZCODE: 8541 21 00 90
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10+0.03 EUR
100+0.022 EUR
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