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IPW60R045CPFKSA1

IPW60R045CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d8e55489b
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CPFKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW60R045CP-DS-v02_02-en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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25+13.55 EUR
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IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CPFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R045CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 431W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ CP
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+23.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CPFKSA1 Infineon Technologies IPW60R045CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d8e55489b Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
auf Bestellung 1292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.36 EUR
30+18.05 EUR
120+15.58 EUR
510+13.77 EUR
1020+13.11 EUR
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IPW60R045CPFKSA1 Infineon-IPW60R045CP-DS-v02_02-en.pdf
IPW60R045CPFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
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IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CP-DTE.pdf
IPW60R045CPFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 431W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ CP
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IPW60R045CPFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
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Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
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Produktcode: 29889
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IRFBG30PBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT
auf Bestellung 35 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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L7805CV
Produktcode: 24792
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description L7800 series.pdf
L7805CV
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 35
Uout,V: 5
Iout,A: 1,5 А
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: 0…125
verfügbar: 1734 St.
  • 118 St. - stock Köln
  • 1616 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPreis
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10+0.45 EUR
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1000+0.13 EUR
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BC807-40
Produktcode: 3638
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BC807_.pdf
BC807-40
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 80 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.5
h21,max: 600
ZCODE: 8541 21 00 90
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10+0.03 EUR
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