Weitere Produktangebote IPW60R045CPFKSA1 nach Preis ab 14.15 EUR bis 34.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 1312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 1312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R045CPFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Power dissipation: 431W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ CP Drain current: 60A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO247-3 |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 431W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP |
auf Bestellung 3882 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW60R045CPFKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R045CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.045 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 431W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R045CPFKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 18.25 EUR |
| 30+ | 16.49 EUR |
| 120+ | 15.59 EUR |
| 510+ | 14.86 EUR |
| IPW60R045CPFKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 18.35 EUR |
| 30+ | 16.22 EUR |
| 120+ | 15.09 EUR |
| 510+ | 14.15 EUR |
| IPW60R045CPFKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 35+ | 18.93 EUR |
| 100+ | 17.72 EUR |
| IPW60R045CPFKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 35+ | 18.93 EUR |
| 100+ | 17.72 EUR |
| 500+ | 16.43 EUR |
| IPW60R045CPFKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 431W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CP
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 431W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CP
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 27.82 EUR |
| IPW60R045CPFKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
auf Bestellung 1259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 31.89 EUR |
| 30+ | 19.68 EUR |
| 120+ | 17.01 EUR |
| 510+ | 15.89 EUR |
| IPW60R045CPFKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
auf Bestellung 3882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 33.72 EUR |
| 10+ | 25.68 EUR |
| 100+ | 21.41 EUR |
| 480+ | 19.06 EUR |
| 1200+ | 17.83 EUR |
| IPW60R045CPFKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R045CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 431W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
Description: INFINEON - IPW60R045CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 431W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 34.37 EUR |
| 9+ | 27.8 EUR |
| 10+ | 21.87 EUR |
| 50+ | 19.02 EUR |
| 100+ | 17.43 EUR |
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| UCC28019ADR Produktcode: 88883
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFBG30PBF Produktcode: 29889
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 1000 В
Drain-Strom Idd, A: 2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 980/80
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 1000 В
Drain-Strom Idd, A: 2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 980/80
Montage: THT
auf Bestellung: 17 St.
- 17 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.51 EUR |
| 10+ | 2.31 EUR |
| L7805CV Produktcode: 24792
7
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Eingangsspannung Uin, V: 35 V
Ausgangsspannung Uout, V: 5 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1,5 A
Spannungsabfall Udrop, V: 1,7 V
Ausgangstyp: Fest
Temperaturbereich: 0...125°C
Montage: THT
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Eingangsspannung Uin, V: 35 V
Ausgangsspannung Uout, V: 5 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1,5 A
Spannungsabfall Udrop, V: 1,7 V
Ausgangstyp: Fest
Temperaturbereich: 0...125°C
Montage: THT
verfügbar: 118 St.
- 118 St. - stock Köln
erwartet: 50 St.
- 50 St. - erwartet
auf Bestellung: 736 St.
- 736 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.62 EUR |
| 10+ | 0.54 EUR |
| 100+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| BC807-40 Produktcode: 3638
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 80 MHz
Spannung Uce, V: 45 V
Spannung Ucb, V: 50 V
Strom Ic, A: 0,5 A
Stromverstärkung h21, max: 600
ZCODE: 8541 21 00 90
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 80 MHz
Spannung Uce, V: 45 V
Spannung Ucb, V: 50 V
Strom Ic, A: 0,5 A
Stromverstärkung h21, max: 600
ZCODE: 8541 21 00 90
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.058 EUR |
| 10+ | 0.036 EUR |
| 100+ | 0.027 EUR |
| 1000+ | 0.019 EUR |










