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IPW60R160C6FKSA1

IPW60R160C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc20123f06faac140e3
Produktcode: 206426
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 Infineon Technologies 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 Infineon Technologies 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 Infineon Technologies IPW60R160C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc20123f06faac140e3 Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R160C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.88 EUR
33+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 Infineon info-tipw60r160c6.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 370mOhm; 23,8A; 176W; -55°C ~ 150°C; IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6 TIPW60r160c6
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 Infineon Technologies 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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IPW60R160C6FKSA1 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf
IPW60R160C6FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
162+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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IPW60R160C6FKSA1 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf
IPW60R160C6FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
167+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc20123f06faac140e3
IPW60R160C6FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V
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IPW60R160C6FKSA1 INFN-S-A0004583452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R160C6FKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R160C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 370mOhm; 23,8A; 176W; -55°C ~ 150°C; IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6 TIPW60r160c6
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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IPW60R160C6FKSA1 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf
IPW60R160C6FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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