IPW65R110CFDFKSA1
Produktcode: 196399
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IPW65R110CFDFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 19220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW65R110CFDFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 6480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW65R110CFDFKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 277.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 277.8W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW65R110CFDFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW65R110CFDFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW65R110CFDFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPW65R110CFDFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2 |
Produkt ist nicht verfügbar |