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IPW65R110CFDFKSA1

Infineon-IPX65R110CFD-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1
Produktcode: 196399
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPW65R110CFDFKSA1 IPW65R110CFDFKSA1 Infineon Technologies ds_ipx65r110cfd_2_61.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 19220 Stücke:
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60+8.81 EUR
100+8.25 EUR
500+7.65 EUR
1000+7.06 EUR
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IPW65R110CFDFKSA1 IPW65R110CFDFKSA1 INFINEON INFNS16577-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 277.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.49 EUR
16+15.02 EUR
25+11.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 277.8W
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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