Weitere Produktangebote IR21064SPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | 
|---|---|---|---|---|---|
|   | IR21064SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |  Driver 600V 0.35A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 14-Pin SOIC N Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |
|   | IR21064SPBF | Hersteller : INFINEON |  Description: INFINEON - IR21064SPBF - Treiber-IC 2fach High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 200ns Verzögerung, SOIC-14 Sinkstrom: 350 Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 10 Quellstrom: 200 Spitzenausgangsstrom: 350 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 220 Ausgabeverzögerung: 200 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | |
|   | IR21064SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |  Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOIC Packaging: Tube Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 14-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | |
|   | IR21064SPBF | Hersteller : Infineon / IR |  Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 10V to 20V | Produkt ist nicht verfügbar | 
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| SKiiP23NAB126V1 Produktcode: 51901 
            
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                 |  | 
Hersteller: Semicron
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: 58,5x51,5x15,8 mm
Vces: 1200 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 41
Ic 100: 31
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 85/465
    Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: 58,5x51,5x15,8 mm
Vces: 1200 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 41
Ic 100: 31
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 85/465
verfügbar: 585 Stück
    
    
        27 Stück - stock Köln
558 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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erwartet:
        4 Stück
    
    
        4 Stück - erwartet    
| Anzahl | Preis | 
|---|---|
| 1+ | 36.5 EUR | 
| 10+ | 32.9 EUR | 
 
