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SKiiP23NAB126V1

SKiiP23NAB126V1 Semicron

skipp23nab126v1.pdf
Produktcode: 51901
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Hersteller: Semicron
Gehäuse: 58,5x51,5x15,8 mm
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,7 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 41 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 31 A
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 85/465
verfügbar: 567 St.
  • 21 St. - stock Köln
  • 546 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 4 St.
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details SKiiP23NAB126V1 Semicron

SEMIKRON SKiiP23NAB126V1 IGBT-Modul MiniSKiiP® 2

⚡
IGBT-Spannung
1200 V
🔌
Kollektorstrom
41 A / 31 A
🔧
Topologie
3~ Brücke + Chopper
📦
Gehäuse
MiniSKiiP® 2
🏭
Anwendung
Umrichter / Inverter

Original SEMIKRON SKiiP23NAB126V1 Leistungsmodul im MiniSKiiP® 2 Gehäuse. Das Modul kombiniert 3-Phasen-Brückengleichrichter, Bremschopper und 3-Phasen-Brückeninverter in einer kompakten Einheit.

Geeignet für Anwendungen in Frequenzumrichtern, Wechselrichtern und industrieller Antriebstechnik. Typische Anwendungen laut Hersteller sind Inverter bis 16 kVA sowie typische Motorleistungen bis 7,5 kW.

Technische Daten

Hersteller SEMIKRON
Modell SKiiP23NAB126V1
Modul-Typ IGBT-Leistungsmodul
Topologie 3-Phasen-Brückengleichrichter + Bremschopper + 3-Phasen-Brückeninverter + NTC
Gehäuse MiniSKiiP® 2
IGBT-Sperrspannung VCES 1200 V
Kollektorstrom IC 41 A (Ts = 25 °C), 31 A (Ts = 70 °C)
Kollektorstrom Puls ICRM 50 A
Gate-Emitter-Spannung VGES ±20 V
Gleichrichterdiode VRRM 1600 V
Modulstrom ItRMS 40 A pro Leistungsterminal
Isolationsspannung 2500 V AC / 1 min
Mechanische Montage schraubbar
Montagedrehmoment 2,0 ... 2,5 Nm
Gewicht ca. 65 g (Datenblattwert)
SKU 51901

Besonderheiten

  • Kompaktes Leistungsmodul mit kombinierter Gleichrichter-, Chopper- und Inverterfunktion
  • Schnelle Trench-IGBTs
  • Robuste Freilaufdioden in CAL-Technologie
  • Zuverlässige elektrische Kontaktierung
  • Integrierter NTC-Temperatursensor
  • Ideal für Frequenzumrichter und Wechselrichter

Lieferumfang

  • 1 × SEMIKRON SKiiP23NAB126V1 Modul

Hinweis: ESD-empfindliches Bauteil (ESDS). Bitte nur mit geeigneten Schutzmaßnahmen handhaben.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SKIIP23NAB126V1 Semikron Силові IGBT-модулі
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SKIIP23NAB126V1
Hersteller: Semikron
Силові IGBT-модулі
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Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 V
Drain-Strom Idd, A: 20,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/11
Montage: THT
auf Bestellung 85 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Beschreibung: Lochrasterplatine einseitig, Raster: 2.54mm, Bohrungsdurchmesser: 1mm, 7168 Lötbohrungen, 4 Befestigungsbohrungen
Typ: Lochrasterplatine zum Löten
Art: einseitig
auf Bestellung 54 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Gehäuse: 47x30x8,5mm
Sperrspannung Urev, V: 1600 В
Durchlassstrom Idir, A: 50 А
Typ der Diodenbrücke: Diodenbaugruppe
Montage: THT
Impulsstrom, A: 400 А
verfügbar: 11 St.
  • 8 St. - stock Köln
  • 3 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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Sperrspannung Vrr, V: 600 В
Mittlerer Strom Iav, A: 30 А
auf Bestellung 43 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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