SKiiP23NAB126V1 Semicron


skipp23nab126v1.pdf
Produktcode: 51901
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Hersteller: Semicron
Gehäuse: 58,5x51,5x15,8 mm
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,7 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 41 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 31 A
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 85/465
verfügbar: 17 St.
  • 17 St. - stock Köln
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Technische Details SKiiP23NAB126V1 Semicron

SEMIKRON SKiiP23NAB126V1 IGBT-Modul MiniSKiiP® 2

IGBT-Spannung
1200 V
🔌
Kollektorstrom
41 A / 31 A
🔧
Topologie
3~ Brücke + Chopper
📦
Gehäuse
MiniSKiiP® 2
🏭
Anwendung
Umrichter / Inverter

Original SEMIKRON SKiiP23NAB126V1 Leistungsmodul im MiniSKiiP® 2 Gehäuse. Das Modul kombiniert 3-Phasen-Brückengleichrichter, Bremschopper und 3-Phasen-Brückeninverter in einer kompakten Einheit.

Geeignet für Anwendungen in Frequenzumrichtern, Wechselrichtern und industrieller Antriebstechnik. Typische Anwendungen laut Hersteller sind Inverter bis 16 kVA sowie typische Motorleistungen bis 7,5 kW.

Technische Daten

Hersteller SEMIKRON
Modell SKiiP23NAB126V1
Modul-Typ IGBT-Leistungsmodul
Topologie 3-Phasen-Brückengleichrichter + Bremschopper + 3-Phasen-Brückeninverter + NTC
Gehäuse MiniSKiiP® 2
IGBT-Sperrspannung VCES 1200 V
Kollektorstrom IC 41 A (Ts = 25 °C), 31 A (Ts = 70 °C)
Kollektorstrom Puls ICRM 50 A
Gate-Emitter-Spannung VGES ±20 V
Gleichrichterdiode VRRM 1600 V
Modulstrom ItRMS 40 A pro Leistungsterminal
Isolationsspannung 2500 V AC / 1 min
Mechanische Montage schraubbar
Montagedrehmoment 2,0 ... 2,5 Nm
Gewicht ca. 65 g (Datenblattwert)
SKU 51901

Besonderheiten

  • Kompaktes Leistungsmodul mit kombinierter Gleichrichter-, Chopper- und Inverterfunktion
  • Schnelle Trench-IGBTs
  • Robuste Freilaufdioden in CAL-Technologie
  • Zuverlässige elektrische Kontaktierung
  • Integrierter NTC-Temperatursensor
  • Ideal für Frequenzumrichter und Wechselrichter

Lieferumfang

  • 1 × SEMIKRON SKiiP23NAB126V1 Modul

Hinweis: ESD-empfindliches Bauteil (ESDS). Bitte nur mit geeigneten Schutzmaßnahmen handhaben.

Weitere Produktangebote SKiiP23NAB126V1 nach Preis ab 109.81 EUR bis 138.3 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SKIIP 23NAB126V1 25230060 SKIIP 23NAB126V1 25230060 SEMIKRON DANFOSS SKiiP23NAB126V1.pdf SEMIKRON_Product_Variants.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 31A
Electrical mounting: Press-Fit
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 50A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Max. off-state voltage: 1.2kV
Power: 7.5kW
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: MiniSKiiP® 2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 31A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+138.3 EUR
3+122.21 EUR
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SKIIP 23NAB126V1 25230060 SKiiP23NAB126V1.pdf SEMIKRON_Product_Variants.pdf
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 31A
Electrical mounting: Press-Fit
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 50A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Max. off-state voltage: 1.2kV
Power: 7.5kW
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: MiniSKiiP® 2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 31A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
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Produktcode: 25463
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INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 V
Drain-Strom Idd, A: 20,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/11
Montage: THT
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10+4.46 EUR
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Lochrasterplatine 18x30 einseitig
Produktcode: 144389
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Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Abmessungen: 180x300 mm
Beschreibung: Lochrasterplatine einseitig, Raster: 2.54mm, Bohrungsdurchmesser: 1mm, 7168 Lötbohrungen, 4 Befestigungsbohrungen
Typ: Lochrasterplatine zum Löten
Art: einseitig
auf Bestellung: 53 St.
  • 53 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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PFQB5016 (PFQB50-16[M32])
Produktcode: 154060
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M32PFQB5016specification.pdf
Hersteller: Guerte
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: 47x30x8,5mm
Sperrspannung Urev, V: 1600 В
Durchlassstrom Idir, A: 50 А
Typ der Diodenbrücke: Diodenbaugruppe
Montage: THT
Impulsstrom, A: 400 А
verfügbar: 8 St.
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auf Bestellung: 3 St.
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VS-30ETH06FP
Produktcode: 174425
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vs-30eth06fp-n3.pdf
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Sperrspannung Vrr, V: 600 В
Mittlerer Strom Iav, A: 30 А
auf Bestellung: 43 St.
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