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SKiiP23NAB126V1

SKiiP23NAB126V1 Semicron

skipp23nab126v1.pdf
Produktcode: 51901
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Hersteller: Semicron
Gehäuse: 58,5x51,5x15,8 mm
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,7 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 41 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 31 A
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 85/465
verfügbar: 14 St.
  • 14 St. - stock Köln
erwartet: 4 St.
  • 4 St. - erwartet
auf Bestellung: 544 St.
  • 544 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details SKiiP23NAB126V1 Semicron

SEMIKRON SKiiP23NAB126V1 IGBT-Modul MiniSKiiP® 2

⚡
IGBT-Spannung
1200 V
🔌
Kollektorstrom
41 A / 31 A
🔧
Topologie
3~ Brücke + Chopper
📦
Gehäuse
MiniSKiiP® 2
🏭
Anwendung
Umrichter / Inverter

Original SEMIKRON SKiiP23NAB126V1 Leistungsmodul im MiniSKiiP® 2 Gehäuse. Das Modul kombiniert 3-Phasen-Brückengleichrichter, Bremschopper und 3-Phasen-Brückeninverter in einer kompakten Einheit.

Geeignet für Anwendungen in Frequenzumrichtern, Wechselrichtern und industrieller Antriebstechnik. Typische Anwendungen laut Hersteller sind Inverter bis 16 kVA sowie typische Motorleistungen bis 7,5 kW.

Technische Daten

Hersteller SEMIKRON
Modell SKiiP23NAB126V1
Modul-Typ IGBT-Leistungsmodul
Topologie 3-Phasen-Brückengleichrichter + Bremschopper + 3-Phasen-Brückeninverter + NTC
Gehäuse MiniSKiiP® 2
IGBT-Sperrspannung VCES 1200 V
Kollektorstrom IC 41 A (Ts = 25 °C), 31 A (Ts = 70 °C)
Kollektorstrom Puls ICRM 50 A
Gate-Emitter-Spannung VGES ±20 V
Gleichrichterdiode VRRM 1600 V
Modulstrom ItRMS 40 A pro Leistungsterminal
Isolationsspannung 2500 V AC / 1 min
Mechanische Montage schraubbar
Montagedrehmoment 2,0 ... 2,5 Nm
Gewicht ca. 65 g (Datenblattwert)
SKU 51901

Besonderheiten

  • Kompaktes Leistungsmodul mit kombinierter Gleichrichter-, Chopper- und Inverterfunktion
  • Schnelle Trench-IGBTs
  • Robuste Freilaufdioden in CAL-Technologie
  • Zuverlässige elektrische Kontaktierung
  • Integrierter NTC-Temperatursensor
  • Ideal für Frequenzumrichter und Wechselrichter

Lieferumfang

  • 1 × SEMIKRON SKiiP23NAB126V1 Modul

Hinweis: ESD-empfindliches Bauteil (ESDS). Bitte nur mit geeigneten Schutzmaßnahmen handhaben.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SKIIP 23NAB126V1 25230060 SKIIP 23NAB126V1 25230060 SEMIKRON DANFOSS SKiiP23NAB126V1.pdf SEMIKRON_Product_Variants.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 31A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 31A
Case: MiniSKiiP® 2
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mechanical mounting: screw
Power: 7.5kW
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SKIIP 23NAB126V1 25230060 SKiiP23NAB126V1.pdf SEMIKRON_Product_Variants.pdf
SKIIP 23NAB126V1 25230060
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 31A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 31A
Case: MiniSKiiP® 2
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mechanical mounting: screw
Power: 7.5kW
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Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 V
Drain-Strom Idd, A: 20,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/11
Montage: THT
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet 05.10.2026
auf Bestellung: 50 St.
  • 50 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Abmessungen: 180x300 mm
Beschreibung: Lochrasterplatine einseitig, Raster: 2.54mm, Bohrungsdurchmesser: 1mm, 7168 Lötbohrungen, 4 Befestigungsbohrungen
Typ: Lochrasterplatine zum Löten
Art: einseitig
auf Bestellung: 35 St.
  • 35 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+3.49 EUR
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Gehäuse: 47x30x8,5mm
Sperrspannung Urev, V: 1600 В
Durchlassstrom Idir, A: 50 А
Typ der Diodenbrücke: Diodenbaugruppe
Montage: THT
Impulsstrom, A: 400 А
verfügbar: 8 St.
  • 8 St. - stock Köln
auf Bestellung: 3 St.
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AnzahlPrivatkunde
1+8.19 EUR
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Sperrspannung Vrr, V: 600 В
Mittlerer Strom Iav, A: 30 А
auf Bestellung: 43 St.
  • 43 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+2.33 EUR
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