SKiiP23NAB126V1 Semicron
Produktcode: 51901
Hersteller: SemicronGehäuse: 58,5x51,5x15,8 mm
Vces: 1200 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 41
Ic 100: 31
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 85/465
verfügbar 571 St.:
25 St. - stock Köln
546 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet 4 St.:
4 St. - erwartet
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 36.5 EUR |
| 10+ | 32.9 EUR |
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Technische Details SKiiP23NAB126V1 Semicron
SKiiP23NAB126V1
SEMIKRON Modul: IGBT Diode/Transistor buck chopper 1,2kV 31A Neu Original
Hersteller SEMIKRON
Modul-Typ IGBT
Struktur des
Halbleiters Diode/Transistor
Topologie: 3-phasen
Brücke IGBT, 3-Phasendiodenbrücke,
buck
chopper, NTC Thermistor
Rückspannung max. 1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom 31A
Leistung 7.5kW
Gehäuse MiniSKiiP® 2
Anwendung Frequenzwandler, Wechselrichter
Elektrische
Montage Press-Fit
Gate - Emitter
Spannung ±20V
Kollektorstrom im
Impuls 50A
Mechanische
Montage schraubbar
Gewicht: 103 g
Produktcode 51901
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| SPP20N60C3 Produktcode: 25463
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Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
auf Bestellung 109 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| Макетная плата 18x30 односторонняя Produktcode: 144389
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Lieblingsprodukt
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Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 180x300мм
Опис: Макетна плата одностороння, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 7168 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: одностороння
Габарити: 180x300мм
Опис: Макетна плата одностороння, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 7168 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: одностороння
auf Bestellung 69 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| PFQB5016 Produktcode: 154060
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Lieblingsprodukt
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|
Hersteller: Guerte
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: 47х30х8,5мм
Urew: 1600 V
I dir: 50 A
Zus.Info: Діодна збірка
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 400 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: 47х30х8,5мм
Urew: 1600 V
I dir: 50 A
Zus.Info: Діодна збірка
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 400 A
verfügbar: 11 St.
8 St. - stock Köln
3 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
3 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| BC807-16 Produktcode: 160555
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 45 V
U, V: 50 V
I, А: 0,5 A
h21,max: 250
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 45 V
U, V: 50 V
I, А: 0,5 A
h21,max: 250
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH