SKiiP23NAB126V1 Semicron
Produktcode: 51901
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Semicron
Gehäuse: 58,5x51,5x15,8 mm
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,7 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 41 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 31 A
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 85/465
verfügbar: 17 St.
- 17 St. - stock Köln
erwartet: 4 St.
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auf Bestellung: 545 St.
- 545 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 43.44 EUR |
| 10+ | 39.15 EUR |
| 100+ | 23.26 EUR |
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Technische Details SKiiP23NAB126V1 Semicron
SEMIKRON SKiiP23NAB126V1 IGBT-Modul MiniSKiiP® 2
⚡
IGBT-Spannung
1200 V
1200 V
🔌
Kollektorstrom
41 A / 31 A
41 A / 31 A
🔧
Topologie
3~ Brücke + Chopper
3~ Brücke + Chopper
📦
Gehäuse
MiniSKiiP® 2
MiniSKiiP® 2
🏭
Anwendung
Umrichter / Inverter
Umrichter / Inverter
Original SEMIKRON SKiiP23NAB126V1 Leistungsmodul im MiniSKiiP® 2 Gehäuse. Das Modul kombiniert 3-Phasen-Brückengleichrichter, Bremschopper und 3-Phasen-Brückeninverter in einer kompakten Einheit.
Geeignet für Anwendungen in Frequenzumrichtern, Wechselrichtern und industrieller Antriebstechnik. Typische Anwendungen laut Hersteller sind Inverter bis 16 kVA sowie typische Motorleistungen bis 7,5 kW.
Technische Daten
| Hersteller | SEMIKRON |
| Modell | SKiiP23NAB126V1 |
| Modul-Typ | IGBT-Leistungsmodul |
| Topologie | 3-Phasen-Brückengleichrichter + Bremschopper + 3-Phasen-Brückeninverter + NTC |
| Gehäuse | MiniSKiiP® 2 |
| IGBT-Sperrspannung VCES | 1200 V |
| Kollektorstrom IC | 41 A (Ts = 25 °C), 31 A (Ts = 70 °C) |
| Kollektorstrom Puls ICRM | 50 A |
| Gate-Emitter-Spannung VGES | ±20 V |
| Gleichrichterdiode VRRM | 1600 V |
| Modulstrom ItRMS | 40 A pro Leistungsterminal |
| Isolationsspannung | 2500 V AC / 1 min |
| Mechanische Montage | schraubbar |
| Montagedrehmoment | 2,0 ... 2,5 Nm |
| Gewicht | ca. 65 g (Datenblattwert) |
| SKU | 51901 |
Besonderheiten
- Kompaktes Leistungsmodul mit kombinierter Gleichrichter-, Chopper- und Inverterfunktion
- Schnelle Trench-IGBTs
- Robuste Freilaufdioden in CAL-Technologie
- Zuverlässige elektrische Kontaktierung
- Integrierter NTC-Temperatursensor
- Ideal für Frequenzumrichter und Wechselrichter
Lieferumfang
- 1 × SEMIKRON SKiiP23NAB126V1 Modul
Hinweis: ESD-empfindliches Bauteil (ESDS). Bitte nur mit geeigneten Schutzmaßnahmen handhaben.
Weitere Produktangebote SKiiP23NAB126V1 nach Preis ab 109.81 EUR bis 138.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SKIIP 23NAB126V1 25230060 | SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 31A Electrical mounting: Press-Fit Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 50A Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Max. off-state voltage: 1.2kV Power: 7.5kW Semiconductor structure: diode/transistor Case: MiniSKiiP® 2 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 31A Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| SKIIP 23NAB126V1 25230060 |
![]() |
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 31A
Electrical mounting: Press-Fit
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 50A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Max. off-state voltage: 1.2kV
Power: 7.5kW
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: MiniSKiiP® 2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 31A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 31A
Electrical mounting: Press-Fit
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 50A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Max. off-state voltage: 1.2kV
Power: 7.5kW
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: MiniSKiiP® 2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 31A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 138.3 EUR |
| 3+ | 122.21 EUR |
| 8+ | 109.81 EUR |
Mit diesem Produkt kaufen
| SPP20N60C3 Produktcode: 25463
5
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 V
Drain-Strom Idd, A: 20,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/11
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 V
Drain-Strom Idd, A: 20,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/11
Montage: THT
auf Bestellung: 84 St.
- 84 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.89 EUR |
| 10+ | 4.46 EUR |
| Lochrasterplatine 18x30 einseitig Produktcode: 144389
1
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Lieblingsprodukt
|
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Abmessungen: 180x300 mm
Beschreibung: Lochrasterplatine einseitig, Raster: 2.54mm, Bohrungsdurchmesser: 1mm, 7168 Lötbohrungen, 4 Befestigungsbohrungen
Typ: Lochrasterplatine zum Löten
Art: einseitig
Abmessungen: 180x300 mm
Beschreibung: Lochrasterplatine einseitig, Raster: 2.54mm, Bohrungsdurchmesser: 1mm, 7168 Lötbohrungen, 4 Befestigungsbohrungen
Typ: Lochrasterplatine zum Löten
Art: einseitig
auf Bestellung: 53 St.
- 53 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.88 EUR |
| 10+ | 3.49 EUR |
| PFQB5016 (PFQB50-16[M32]) Produktcode: 154060
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Guerte
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: 47x30x8,5mm
Sperrspannung Urev, V: 1600 В
Durchlassstrom Idir, A: 50 А
Typ der Diodenbrücke: Diodenbaugruppe
Montage: THT
Impulsstrom, A: 400 А
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: 47x30x8,5mm
Sperrspannung Urev, V: 1600 В
Durchlassstrom Idir, A: 50 А
Typ der Diodenbrücke: Diodenbaugruppe
Montage: THT
Impulsstrom, A: 400 А
verfügbar: 8 St.
- 8 St. - stock Köln
auf Bestellung: 3 St.
- 3 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.19 EUR |
| VS-30ETH06FP Produktcode: 174425
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Sperrspannung Vrr, V: 600 В
Mittlerer Strom Iav, A: 30 А
Sperrspannung Vrr, V: 600 В
Mittlerer Strom Iav, A: 30 А
auf Bestellung: 43 St.
- 43 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.58 EUR |
| 10+ | 2.33 EUR |
| 100+ | 2.09 EUR |






![PFQB5016 (PFQB50-16[M32]) PFQB5016 (PFQB50-16[M32])](/img/pfqb50-16-m32.jpg)
