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PFQB5016 (PFQB50-16[M32]) Guerte
Produktcode: 154060
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Guerte
Gehäuse: 47x30x8,5mm
Sperrspannung Urev, V: 1600 В
Durchlassstrom Idir, A: 50 А
Typ der Diodenbrücke: Diodenbaugruppe
Montage: THT
Impulsstrom, A: 400 А
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Technische Details PFQB5016 (PFQB50-16[M32]) Guerte
Guerte PFQB5016 – Diodenbrücke / Brückengleichrichter 50A 1600V
Leistungsstarke Diodenbrücke im Modulgehäuse für Netzteile, Ladegeräte, Motorsteuerungen u.v.m. Robuste THT-Montage und großflächige Löt-/Schraubanschlüsse für geringe Verluste und einfache Verdrahtung.
Technische Daten
| Modell | PFQB5016 |
| SKU | 154060 |
| Hersteller | Guerte |
| Bauform / Montage | THT-Modul, Löt-/Schraubfahnen |
| Dauerstrom IF | 50 A |
| Impulsstrom (max.) | 400 A |
| Sperrspannung URRM | 1600 V |
| Gehäusemaße (L×B×H) | 47 × 30 × 8,5 mm |
| Bauteilart | Diodenbrücke / Brückengleichrichter |
Vorteile
- Hohe Sperrspannung (1600 V) und 50 A Dauerstrom
- Modulgehäuse für einfache, robuste Montage
- Sehr hoher Impulsstrom (bis 400 A) für Einschaltvorgänge
Lieferumfang
1 × Guerte PFQB5016 Diodenbrücke.
Hinweis: Bitte thermische Auslegung (Kühlung) und die maximalen Grenzwerte Ihrer Anwendung beachten.
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| SKiiP23NAB126V1 Produktcode: 51901
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Hersteller: Semicron
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: 58,5x51,5x15,8 mm
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,7 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 41 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 31 A
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 85/465
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: 58,5x51,5x15,8 mm
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Sättigungsspannung Vce, V: 1,7 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 41 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 31 A
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 85/465
verfügbar: 567 St.
- 21 St. - stock Köln
- 546 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 4 St.
- 4 St. - erwartet
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 43.44 EUR |
| 10+ | 39.15 EUR |
| SPP20N60C3 Produktcode: 25463
5
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 V
Drain-Strom Idd, A: 20,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/11
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
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Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/11
Montage: THT
auf Bestellung 85 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Lochrasterplatine 18x30 einseitig Produktcode: 144389
1
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|
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Abmessungen: 180x300 mm
Beschreibung: Lochrasterplatine einseitig, Raster: 2.54mm, Bohrungsdurchmesser: 1mm, 7168 Lötbohrungen, 4 Befestigungsbohrungen
Typ: Lochrasterplatine zum Löten
Art: einseitig
Abmessungen: 180x300 mm
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Art: einseitig
auf Bestellung 54 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| VS-30ETH06FP Produktcode: 174425
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Lieblingsprodukt
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Sperrspannung Vrr, V: 600 В
Mittlerer Strom Iav, A: 30 А
Sperrspannung Vrr, V: 600 В
Mittlerer Strom Iav, A: 30 А
auf Bestellung 43 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| MBR20200CT JSMicro Produktcode: 193203
1
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Hersteller: JSMicro
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 200 В
Durchlassstrom (per leg) If, A: 20 А
Durchlassspannung Vf, V: 0,9 В
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 10 A pro Diode.
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 200 А
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
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Durchlassstrom (per leg) If, A: 20 А
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Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 10 A pro Diode.
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 200 А
auf Bestellung 377 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)

![PFQB5016 (PFQB50-16[M32]) PFQB5016 (PFQB50-16[M32])](/img/pfqb50-16-m32.jpg)




