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IR21271SPBF

IR21271SPBF

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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,1/0,42 A
Ausgangsspannung Vout, V: 12-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 200/150 ns
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: High-Side
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IR21271SPBF IR21271SPBF Infineon Technologies infineon-irs2127pbf-datasheet-v02_00-en.pdf Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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IR21271SPBF IR21271SPBF Infineon Technologies infineon-irs2127pbf-datasheet-v02_00-en.pdf Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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IR21271SPBF IR21271SPBF Infineon Technologies infineon-irs2127pbf-datasheet-v02_00-en.pdf Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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IR21271SPBF IR21271SPBF Infineon Technologies infineon-irs2127pbf-datasheet-v02_00-en.pdf Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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500+2.11 EUR
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250+2.14 EUR
500+1.89 EUR
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IR21271SPBF IR21271SPBF Infineon Technologies Infineon_ir2127_DS_v01_00_EN.pdf Gate Drivers 1 HI SIDE DRVR NONINVERTING INPUT
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IR21271SPBF IR21271SPBF Infineon Technologies infineon-ir2127-datasheet-en.pdf Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side, Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
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190+4.18 EUR
285+4.09 EUR
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IR21271SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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Gate Drivers 1 HI SIDE DRVR NONINVERTING INPUT
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IR21271SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side, Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
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10+5.24 EUR
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2565+3.75 EUR
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TDA7245
Produktcode: 83553
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TDA7245
Hersteller: ST
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: DIP-18
Versorgungsspannung Uпит, V: 30 V
Leistung P, W: 1x5 W
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DB207 Diodenbrücke
Produktcode: 72705
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DB207 Diodenbrücke
Hersteller: SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: DB-1
Sperrspannung Urev, V: 1000 В
Durchlassstrom Idir, A: 2 А
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Montage: THT
Impulsstrom, A: 75 А
auf Bestellung: 1077 St.
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AnzahlPrivatkunde
7+0.18 EUR
10+0.15 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
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SMBJ22A
Produktcode: 36581
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SMBJ22A.pdf
SMBJ22A
Hersteller: Littelfuse
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: SMB (DO-214AA)
Spitzenleistung, P, W: 600 W
Durchbruchspannung, Vbr: 25,7 V
Sperrspannung, Vrm: 22 В
Leckstrom, Irm: 1 µA
Diodenbauart: Unidirektional
Montage: SMD
auf Bestellung: 1893 St.
  • 1893 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.29 EUR
10+0.23 EUR
100+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2502TRPBF
Produktcode: 25595
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IRLML2502TRPBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 4,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/8
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 90 St.
  • 90 St. - stock Köln
auf Bestellung: 10721 St.
  • 10721 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+0.58 EUR
10+0.52 EUR
100+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 St.
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30 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-30KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 3728
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30 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-30KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 30 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet
auf Bestellung: 3380 St.
  • 3380 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
260+0.0046 EUR
270+0.0045 EUR
1000+0.0036 EUR
10000+0.0027 EUR
Mindestbestellmenge: 260 St.
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