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IRF1310NPBF

IRF1310NPBF

irf1310npbf-datasheet.pdf
Produktcode: 34256
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
JHGF: THT
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Analogon IRF1310NPBF IR

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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Produktcode: 44978
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Hersteller : IR irf3710zpbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
JHGF: THT
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf1310ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf1310ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRF1310N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf1310npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daa903189e Description: MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
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5+3.82 EUR
50+1.87 EUR
100+1.68 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf1310ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf1310ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf1310ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf1310ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf1310n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
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220uF 25V ECR 8x12mm (ECR221M25B-Hitano)
Produktcode: 2973
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ECR_081225.pdf
220uF 25V ECR 8x12mm (ECR221M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 8х12mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 930 St.
296 St. - stock Köln
634 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10000 St.
10000 St. - erwartet
Anzahl Preis
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10+0.06 EUR
100+0.032 EUR
1000+0.029 EUR
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100uF 35V ECR 6x11mm (ECR101M35BA-Hitano)
Produktcode: 2981
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ECR_081225.pdf
100uF 35V ECR 6x11mm (ECR101M35BA-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 35V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 10956 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+0.06 EUR
10+0.048 EUR
100+0.027 EUR
1000+0.022 EUR
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VCR-14D390K
Produktcode: 2346
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VCR-14D_081201.pdf
VCR-14D390K
Hersteller: Hitano
Passive Bauelemente > Varistoren
Arbeitsspannung AC/DC, V: 25/31
S.var., V: 39(35-43)
Max.Spannung und Aktiviwerungsstrom, V@A: 77@10
Imax.(8/20mcs): 1000
Leistung, Watt: 0,1
Kapazität, pF: 5100
Größe: 14D
verfügbar: 664 St.
35 St. - stock Köln
629 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.24 EUR
10+0.2 EUR
100+0.17 EUR
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VCR-14D471K
Produktcode: 2061
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VCR-14D_081201.pdf
VCR-14D471K
Hersteller: Hitano
Passive Bauelemente > Varistoren
Arbeitsspannung AC/DC, V: 300/385
S.var., V: 470(423-517)
Max.Spannung und Aktiviwerungsstrom, V@A: 775@50
Imax.(8/20mcs): 4500
Leistung, Watt: 0,6
Kapazität, pF: 430
Größe: 14D
auf Bestellung 1840 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.24 EUR
10+0.19 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
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18nF 50V Y5V 20% 1206 4k/reel (C1206Y183M500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 1903
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Y5V.pdf
18nF 50V Y5V 20% 1206 4k/reel (C1206Y183M500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 18nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: Y5V
Präzision: ±20% M
Gro?entyp: 1206
№ 8: 8532240000
auf Bestellung 5860 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.03 EUR
100+0.015 EUR
1000+0.013 EUR
10000+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH