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IRF1310NPBF

IRF1310NPBF

irf1310npbf-datasheet.pdf
Produktcode: 34256
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
JHGF: THT
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Analogon IRF1310NPBF IR

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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Produktcode: 44978
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Hersteller : IR irf3710zpbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
JHGF: THT
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf1310ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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5000+0.73 EUR
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A8EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1310n.pdf?ci_sign=f86653c14d07ebcb26335896999b26309cf65da1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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82+0.87 EUR
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Mindestbestellmenge: 35
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A8EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1310n.pdf?ci_sign=f86653c14d07ebcb26335896999b26309cf65da1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf1310ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRF1310N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
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100+1.46 EUR
500+1.35 EUR
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2000+1.18 EUR
5000+1.14 EUR
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf1310ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf1310ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf1310npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daa903189e Description: MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
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2 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 4120
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RC_series.pdf
2 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 2 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 4100 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10000 Stück:
10000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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100nF 100V X7R K(+/-10%) (R20W104K2AH5-L)
Produktcode: 54913
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multilayer_ceramic_capacitorsepoxyy.pdf
100nF 100V X7R K(+/-10%) (R20W104K2AH5-L)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 100nF
Nennspannung: 100V
TKE: X7R
Präzision: ±10% K
Abmessungen: 5,08mm
Part Nummer: R20W104K2AH5-L
auf Bestellung 469 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100 Stück:
Anzahl Preis
10+0.06 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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Impuls boost-Modul auf XL6009
Produktcode: 95962
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Impuls boost-Modul auf XL6009
Netzteile und Ladegeräte > Blocks DC_DC Wandler
Leistung, W: 20 W
Spannung. in., V: 3,5...32 V
Spannung. out,VDC: 5...35 VDC
Maximaler Ausgangsstrom: 2 A
Gehäuse, Abmessungen, mm: 43x20,6 mm
Temperatur, °C: -40...+125°C
Опис: Вихідна потужність 15W/ 25W з додатковим охолодженням.
auf Bestellung 2475 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.52 EUR
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Zhongdi B3-2 (жало 6мм медное с никелевым напылением)
Produktcode: 122546
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Zhongdi B3-2 (жало 6мм медное с никелевым напылением)
Hersteller: Zhongdi
Lötgeräte, Lötmaterial > Löttechnik. Aufsätze, Lötspitzen
Kategorie: Жало (насадка) для паяльника
Beschreibung: Жало 6мм мідне з нікелевим напиленням
Тип жала: B3
№ 4: Викрутка
Діаметр жала: 6 mm
verfügbar: 235 Stück
16 Stück - stock Köln
219 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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LM2596R-ADJ
Produktcode: 122734
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htc00151504.pdf
LM2596R-ADJ
Hersteller: HTC
IC > IC AC/DC-Schaltregler
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
U eing., V: 45 V
I ausg., A: 3 А
F, kHz: 150 kHz
Bemerkung: Регульований
Робоча температура, °С: -40…125°C
auf Bestellung 867 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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