IRF1310NPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF1310NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Analogon IRF1310NPBF Infineon Technologies
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IRF3710ZPBF Produktcode: 44978
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 59 A Rds(on), Ohm: 18 mOhm JHGF: THT |
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Weitere Produktangebote IRF1310NPBF nach Preis ab 0.74 EUR bis 3.43 EUR
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IRF1310NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF1310NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1310NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF1310NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 42A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 73.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF1310NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 42A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 73.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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IRF1310NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF1310NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC |
auf Bestellung 982 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1310NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2766 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1310NPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRF1310NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF1310NPBF Produktcode: 34256
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110 JHGF: THT |
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IRF1310NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF1310NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
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