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IRF1310NPBF

IRF1310NPBF

irf1310npbf-datasheet.pdf
Produktcode: 34256
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
JHGF: THT
auf Bestellung 167 St.:
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Analogon IRF1310NPBF IR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Produktcode: 44978
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IR irf3710zpbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
JHGF: THT
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IRF3710ZPBF
Produktcode: 44978
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IRF3710ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
JHGF: THT
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Infineon Technologies infineonirf1310ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 686 Stücke:
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Infineon Technologies infineonirf1310ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13152 Stücke:
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120+1.22 EUR
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Infineon Technologies infineonirf1310ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.39 EUR
107+1.32 EUR
114+1.2 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Infineon Technologies infineonirf1310ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+1.69 EUR
88+1.65 EUR
100+1.48 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.06 EUR
2000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Infineon Technologies infineonirf1310ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
307+1.79 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 307 Stücke
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1310n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Infineon Technologies irf1310npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daa903189e Description: MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
auf Bestellung 2253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.82 EUR
50+1.87 EUR
100+1.68 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Infineon Technologies Infineon-IRF1310N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.08 EUR
10+2.01 EUR
100+1.8 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.25 EUR
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF INFINEON INFN-S-A0012837739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 725 Stücke:
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF Infineon Technologies infineonirf1310ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 686 Stücke:
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IRF1310NPBF infineonirf1310ndatasheetv0101en.pdf
IRF1310NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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686+0.87 EUR
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IRF1310NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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120+1.22 EUR
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IRF1310NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13159 Stücke:
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AnzahlPreis
106+1.39 EUR
107+1.32 EUR
114+1.2 EUR
500+0.92 EUR
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IRF1310NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3128 Stücke:
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AnzahlPreis
87+1.69 EUR
88+1.65 EUR
100+1.48 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.06 EUR
2000+1.03 EUR
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IRF1310NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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500+1.59 EUR
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IRF1310NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
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26+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IRF1310NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
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IRF1310NPBF Infineon-IRF1310N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF1310NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
auf Bestellung 2346 Stücke:
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AnzahlPreis
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100+1.8 EUR
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IRF1310NPBF INFN-S-A0012837739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1310NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 725 Stücke:
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IRF1310NPBF infineonirf1310ndatasheetv0101en.pdf
IRF1310NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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220uF 25V ECR 8x12mm (ECR221M25B-Hitano)
Produktcode: 2973
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ECR_081225.pdf
220uF 25V ECR 8x12mm (ECR221M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 8х12mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 449 St.
  • 296 St. - stock Köln
  • 153 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet 10.08.2026
AnzahlPreis
1+0.08 EUR
10+0.06 EUR
100+0.032 EUR
1000+0.029 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Sicherung 5x20mm 25A 250V
Produktcode: 3470
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Sicherung 5x20mm 25A 250V
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen, in Glas, 25A 250V 5x20mm F
Nennstrom, А: 25A
Größe: 5х20mm
Bemerkung: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
auf Bestellung 4652 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+0.08 EUR
100+0.025 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Sicherung 5x20mm 10A 250V (50F-100H)
Produktcode: 22669
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Sicherung 5x20mm 10A 250V (50F-100H)
Hersteller: Hollyland
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen, in Glas, 10A 250V 5x20mm F
Nennstrom, А: 10A
Größe: 5х20mm
Bemerkung: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
verfügbar: 1848 St.
  • 691 St. - stock Köln
  • 1157 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 5450 St.
  • 450 St. - erwartet
  • 5000 St. - erwartet
AnzahlPreis
1+0.08 EUR
100+0.025 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 kOhm CA14V-10K
Produktcode: 51734
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10 kOhm CA14V-10K
Hersteller: ACP
Widerstande Trimmer > Widerstand Trimmer THT
Nennwert: 10 kOhm
Serie: CA14V
Abmessungen: 14x14x6mm
Тип монтажу: Горизонтальний
Механізм роботи: Однооборотний
verfügbar: 1345 St.
  • 20 St. - stock Köln
  • 1325 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5408
Produktcode: 2135
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1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
verfügbar: 6006 St.
  • 65 St. - stock Köln
  • 5941 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 250 St.
    AnzahlPreis
    1+0.069 EUR
    10+0.049 EUR
    100+0.044 EUR
    1000+0.042 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH