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IRF3710ZPBF

IRF3710ZPBF

irf3710zpbf-datasheet.pdf
Produktcode: 44978
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
JHGF: THT
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Produktcode: 190954
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Hersteller : JSMICRO IRF3710ZPBF.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
JHGF: THT
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Analogon IRF3710ZPBF IR

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IRF1310NPBF IRF1310NPBF
Produktcode: 34256
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Hersteller : IR irf1310npbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
JHGF: THT
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Produktcode: 190954
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Hersteller : JSMICRO IRF3710ZPBF.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
JHGF: THT
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
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200+0.83 EUR
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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1000+0.76 EUR
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
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10+1.81 EUR
100+1.21 EUR
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2000+0.93 EUR
5000+0.9 EUR
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 1573 Stücke:
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6+3.15 EUR
10+2.01 EUR
100+1.36 EUR
500+1.08 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf3710z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 747 Stücke:
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IRF3710ZPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 MOSFET N-CH, Udss=100V, Id=59A, TO-220AB, -55...+175
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Steckverbinder AC-101 auf Netzkabel 220V 10А (3 Stecker in Buchse)
Produktcode: 29601
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Steckverbinder AC-101 auf Netzkabel 220V 10А (3 Stecker in Buchse)
+1
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbinder Netzwerk
Stecker/Steckdose: Steckdose auf Kabel
Beschreibung: Steckverbinder 220Volt 10А mit Erdung (3 Stecker in Buchse) auf Kabel
Номінальний струм: 10 А
auf Bestellung 199 Stück:
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IRF3710PBF
Produktcode: 43009
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irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
JHGF: THT
verfügbar: 320 Stück
5 Stück - stock Köln
315 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.72 EUR
10+0.7 EUR
100+0.69 EUR
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LM324DT
Produktcode: 13322
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description en.CD00001046.pdf SOP-J14_Rev001_9-19-16.pdf
LM324DT
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-14
Vc, V: 32V
BW, MHz: 1.2
Vio, mV(Biasspannung): 5
Geschw. Nar., V/mks: 1
Temperaturbereich: 0...+70°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 4
ZCODE: 4
Монтаж: SMD
verfügbar: 566 Stück
50 Stück - stock Köln
516 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.15 EUR
10+0.14 EUR
100+0.1 EUR
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10 Ohm 5% 0,25W Ausfuhr. (CR025SJTB-10R-Hitano)
Produktcode: 11065
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CR-S_080911.pdf
10 Ohm 5% 0,25W Ausfuhr. (CR025SJTB-10R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 1500 Stück
erwartet: 10000 Stück
10000 Stück - erwartet 24.01.2026
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 3243
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RC_series.pdf
1 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 MOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 24940 Stück
4900 Stück - stock Köln
20040 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 5000 Stück
Anzahl Preis
10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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