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IRF3710ZPBF

IRF3710ZPBF JSMICRO

IRF3710ZPBF.pdf
Produktcode: 190954
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
JHGF: THT
auf Bestellung 54 Stück:
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Analogon IRF3710ZPBF JSMICRO

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF
Produktcode: 34256
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Hersteller : IR irf1310npbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
JHGF: THT
auf Bestellung 190 Stück:
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Produktcode: 44978
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Hersteller : IR irf3710zpbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
JHGF: THT
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
88+1.67 EUR
133+1.07 EUR
500+0.94 EUR
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2000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 88
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.1 EUR
48+1.52 EUR
61+1.18 EUR
66+1.09 EUR
74+0.98 EUR
100+0.9 EUR
200+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
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Anzahl Preis
35+2.1 EUR
48+1.52 EUR
61+1.18 EUR
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500+0.77 EUR
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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51+2.92 EUR
89+1.6 EUR
134+1.01 EUR
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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49+3.01 EUR
97+1.47 EUR
106+1.29 EUR
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1000+0.77 EUR
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 1593 Stücke:
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6+3.12 EUR
10+1.8 EUR
100+1.23 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
auf Bestellung 3660 Stücke:
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10+1.81 EUR
100+1.21 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.95 EUR
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5000+0.9 EUR
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf3710z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 750 Stücke:
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IRF3710ZPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 MOSFET N-CH, Udss=100V, Id=59A, TO-220AB, -55...+175
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BC327-25
Produktcode: 15290
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bc327-datasheet.pdf
BC327-25
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.8
h21,max: 450
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 938 Stück
215 Stück - stock Köln
723 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 1000 Stück
1000 Stück - erwartet 27.11.2025
Anzahl Preis
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10+0.036 EUR
100+0.028 EUR
1000+0.02 EUR
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KBU1510 (Diodenbrücke)
Produktcode: 42648
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KBU10_15_25_35.pdf
KBU1510 (Diodenbrücke)
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBU
Urew: 1000V
I dir: 15A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: KBU15005, KBU1501, KBU1502, KBU1504, KBU1506, KBU1508, KBU10005, KBU1001, KBU1002, KBU1004, KBU1006, KBU1008, KBU1010, KBU10A, KBU10B, KBU10D, KBU10G, KBU10J, KBU10K, KBU10M
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 300 A
№ 7: 8541 10 00 10
auf Bestellung 2 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 Stück:
200 Stück - erwartet 06.12.2025
Anzahl Preis
1+0.6 EUR
10+0.55 EUR
100+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
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15 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-15K-Hitano)
Produktcode: 13791
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CR-S_080911.pdf
15 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-15K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 15 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 4069 Stück
1058 Stück - stock Köln
3011 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
220 Ohm 5% 0,25W Ausfuhr. (CR025SJTB-220R-Hitano) (S)
Produktcode: 13744
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CR-S_080911.pdf
220 Ohm 5% 0,25W Ausfuhr. (CR025SJTB-220R-Hitano) (S)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 220 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: вугільно-плівкові
verfügbar: 17092 Stück
1388 Stück - stock Köln
15704 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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300 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-300K-Hitano)
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Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 300 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 8137 Stück
1199 Stück - stock Köln
6938 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
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Mindestbestellmenge: 10
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