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IRF3710ZPBF

IRF3710ZPBF JSMICRO

IRF3710ZPBF.pdf
Produktcode: 190954
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Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 60 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 17,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3968/146
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.26 EUR
2000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1420 Stücke:
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69+2.55 EUR
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500+1.34 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.81 EUR
45+1.9 EUR
51+1.67 EUR
61+1.42 EUR
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Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.55 EUR
73+2.39 EUR
103+1.65 EUR
500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.55 EUR
73+2.34 EUR
103+1.59 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1424 Stücke:
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46+3.89 EUR
70+2.45 EUR
102+1.62 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 3441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
78+3 EUR
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
auf Bestellung 5106 Stücke:
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
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100+2.32 EUR
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1000+1.73 EUR
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IRF3710ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1420 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
69+2.55 EUR
101+1.73 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.17 EUR
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IRF3710ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
auf Bestellung 298 Stücke:
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45+1.9 EUR
51+1.67 EUR
61+1.42 EUR
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200+1.13 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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73+2.39 EUR
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500+1.31 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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46+3.89 EUR
70+2.45 EUR
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IRF3710ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 3441 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
50+5 EUR
78+3 EUR
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IRF3710ZPBF
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MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
auf Bestellung 5106 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+5.15 EUR
10+3.33 EUR
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IRF3710ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 3000 St.
  • 3000 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 1231 St.
  • 1231 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BTA40-800B
Produktcode: 24871
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BTA40 A_B.pdf
BTA40-800B
Hersteller: ST
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: RD-91
Umax, V: 800 V
I-auf, mA: 50 mA
Imax, A: 40 A
verfügbar: 10 St.
  • 10 St. - stock Köln
auf Bestellung: 79 St.
  • 79 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+6.46 EUR
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Sicherung 5x20mm 6,3A 250V (GT1-4602A-6.3A/250V)
Produktcode: 22673
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Sicherung 5x20mm 6,3A 250V (GT1-4602A-6.3A/250V)
Hersteller: Global Tone
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Kurzbeschreibung: Sicherung Schmelz, in Glas, 6.3A 250V 5x20mm F
Nennstrom: 6,3 A
Größe: 5x20 mm
Bauform: Ohne Anschlüsse
Gehäusematerial: Glas
Nennspannung: 250 VAC
Auslöseverhalten: Flink
erwartet: 10000 St.
  • 5000 St. - erwartet 30.09.2026
  • 5000 St. - erwartet 14.01.2027
auf Bestellung: 187 St.
  • 187 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.095 EUR
10+0.063 EUR
100+0.046 EUR
1000+0.036 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC327-25
Produktcode: 15290
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bc327-datasheet.pdf
BC327-25
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz
Spannung Uce, V: 45 V
Spannung Ucb, V: 50 V
Strom Ic, A: 0,8 A
Stromverstärkung h21, max: 450
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 212 St.
  • 212 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1167 St.
  • 1167 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
10+0.055 EUR
100+0.039 EUR
1000+0.031 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
36 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-36KR-Hitano) (S)
Produktcode: 13801
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CR-S_080911.pdf
36 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-36KR-Hitano) (S)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 36 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
auf Bestellung: 4097 St.
  • 4097 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.027 EUR
100+0.021 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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