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IRF3710ZPBF

IRF3710ZPBF JSMICRO

IRF3710ZPBF.pdf
Produktcode: 190954
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Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 60 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 17,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3968/146
Montage: THT
auf Bestellung 43 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Analogon IRF3710ZPBF JSMICRO

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon) IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon)
Produktcode: 34256
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IR irf1310npbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,036 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1900/110
Montage: THT
auf Bestellung 167 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon)
Produktcode: 34256
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irf1310npbf-datasheet.pdf
IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon)
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,036 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1900/110
Montage: THT
auf Bestellung 167 St.:
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Weitere Produktangebote IRF3710ZPBF nach Preis ab 0.86 EUR bis 5.24 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Produktcode: 44978
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IR irf3710zpbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 59 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 18 мОм
Montage: THT
auf Bestellung 1 St.:
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1+0.86 EUR
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
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1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.33 EUR
111+1.56 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 160W
Gate charge: 82nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 59A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.81 EUR
45+1.9 EUR
51+1.67 EUR
61+1.42 EUR
100+1.26 EUR
200+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.18 EUR
81+2.11 EUR
115+1.43 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.18 EUR
81+2.15 EUR
115+1.49 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.57 EUR
76+2.25 EUR
111+1.48 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
auf Bestellung 5221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.3 EUR
10+3.14 EUR
100+2.12 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.52 EUR
2000+1.46 EUR
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 4415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.24 EUR
10+3.38 EUR
100+2.32 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.73 EUR
2000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
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IRF3710ZPBF
Produktcode: 44978
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irf3710zpbf-datasheet.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 59 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 18 мОм
Montage: THT
auf Bestellung 1 St.:
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AnzahlPrivatkunde
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IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF3710ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+2.33 EUR
111+1.56 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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IRF3710ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 160W
Gate charge: 82nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 59A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+2.81 EUR
45+1.9 EUR
51+1.67 EUR
61+1.42 EUR
100+1.26 EUR
200+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+3.18 EUR
81+2.11 EUR
115+1.43 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+3.18 EUR
81+2.15 EUR
115+1.49 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+3.57 EUR
76+2.25 EUR
111+1.48 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
auf Bestellung 5221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.3 EUR
10+3.14 EUR
100+2.12 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.52 EUR
2000+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 4415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.24 EUR
10+3.38 EUR
100+2.32 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.73 EUR
2000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF INFN-S-A0012838030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 3448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC327-25
Produktcode: 15290
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bc327-datasheet.pdf
BC327-25
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz
Spannung Uce, V: 45 V
Spannung Ucb, V: 50 V
Strom Ic, A: 0,8 A
Stromverstärkung h21, max: 450
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 1379 St.
  • 212 St. - stock Köln
  • 1167 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+0.048 EUR
10+0.043 EUR
100+0.033 EUR
1000+0.024 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBU1510 (Diodenbrücke)
Produktcode: 42648
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KBU10_15_25_35.pdf
KBU1510 (Diodenbrücke)
Hersteller: SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBU
Sperrspannung Urev, V: 1000 V
Durchlassstrom Idir, A: 15 A
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Kann ersetzen:: KBU15005, KBU1501, KBU1502, KBU1504, KBU1506, KBU1508, KBU10005, KBU1001, KBU1002, KBU1004, KBU1006, KBU1008, KBU1010, KBU10A, KBU10B, KBU10D, KBU10G, KBU10J, KBU10K, KBU10M
Montage: THT
Impulsstrom, A: 300 А
UKTZED: 8541 10 00 10
auf Bestellung 23 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.71 EUR
10+0.65 EUR
100+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
36 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-36KR-Hitano) (S)
Produktcode: 13801
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CR-S_080911.pdf
36 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-36KR-Hitano) (S)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 36 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 5327 St.
  • 1200 St. - stock Köln
  • 4127 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
10+0.012 EUR
100+0.0067 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
15 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-15KR-Hitano) (S)
Produktcode: 13791
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CR-S_080911.pdf
15 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-15KR-Hitano) (S)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 15 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 6154 St.
  • 1058 St. - stock Köln
  • 5096 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
10+0.012 EUR
100+0.0067 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
220 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-220R-Hitano) (S)
Produktcode: 13744
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CR-S_080911.pdf
220 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-220R-Hitano) (S)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 220 Ohm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 13153 St.
  • 1388 St. - stock Köln
  • 11765 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
10+0.012 EUR
100+0.0067 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH