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IRF3710ZPBF

IRF3710ZPBF JSMICRO

IRF3710ZPBF.pdf
Produktcode: 190954
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Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
JHGF: THT
auf Bestellung 53 St.:
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Analogon IRF3710ZPBF JSMICRO

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF1310NPBF IRF1310NPBF
Produktcode: 34256
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IR irf1310npbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
JHGF: THT
auf Bestellung 167 St.:
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IRF1310NPBF
Produktcode: 34256
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irf1310npbf-datasheet.pdf
IRF1310NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
JHGF: THT
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Produktcode: 44978
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IR irf3710zpbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
JHGF: THT
auf Bestellung 1 St.:
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3024 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+1.91 EUR
111+1.28 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 76
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.13 EUR
38+1.92 EUR
50+1.45 EUR
57+1.27 EUR
67+1.08 EUR
100+0.96 EUR
200+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+2.62 EUR
81+1.78 EUR
114+1.23 EUR
500+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3024 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+2.91 EUR
76+1.84 EUR
112+1.2 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
auf Bestellung 5311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.7 EUR
10+2.36 EUR
100+1.61 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.21 EUR
2000+1.15 EUR
5000+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 3415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.98 EUR
10+2.55 EUR
100+1.73 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
2000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF3710ZPBF
Produktcode: 44978
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IRF3710ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
JHGF: THT
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.72 EUR
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IRF3710ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3024 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
76+1.91 EUR
111+1.28 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 76
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IRF3710ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.13 EUR
38+1.92 EUR
50+1.45 EUR
57+1.27 EUR
67+1.08 EUR
100+0.96 EUR
200+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
56+2.62 EUR
81+1.78 EUR
114+1.23 EUR
500+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 56
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IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3024 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.91 EUR
76+1.84 EUR
112+1.2 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
auf Bestellung 5311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.7 EUR
10+2.36 EUR
100+1.61 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.21 EUR
2000+1.15 EUR
5000+1.09 EUR
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IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 3415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.98 EUR
10+2.55 EUR
100+1.73 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
2000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IRF3710ZPBF INFN-S-A0012838030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC327-25
Produktcode: 15290
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bc327-datasheet.pdf
BC327-25
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.8
h21,max: 450
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 1429 St.
212 St. - stock Köln
1217 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.036 EUR
100+0.028 EUR
1000+0.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBU1510 (Diodenbrücke)
Produktcode: 42648
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
KBU10_15_25_35.pdf
KBU1510 (Diodenbrücke)
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBU
Urew: 1000V
I dir: 15A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: KBU15005, KBU1501, KBU1502, KBU1504, KBU1506, KBU1508, KBU10005, KBU1001, KBU1002, KBU1004, KBU1006, KBU1008, KBU1010, KBU10A, KBU10B, KBU10D, KBU10G, KBU10J, KBU10K, KBU10M
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 300 A
№ 7: 8541 10 00 10
auf Bestellung 23 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.6 EUR
10+0.55 EUR
100+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
36 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-36K-Hitano)
Produktcode: 13801
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CR-S_080911.pdf
36 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-36K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 36 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 5327 St.
1200 St. - stock Köln
4127 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
15 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-15K-Hitano)
Produktcode: 13791
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CR-S_080911.pdf
15 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-15K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 15 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 6254 St.
1058 St. - stock Köln
5196 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
220 Ohm 5% 0,25W Ausfuhr. (CR025SJTB-220R-Hitano) (S)
Produktcode: 13744
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CR-S_080911.pdf
220 Ohm 5% 0,25W Ausfuhr. (CR025SJTB-220R-Hitano) (S)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 220 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: вугільно-плівкові
verfügbar: 13823 St.
1388 St. - stock Köln
12435 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH