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IRF1407PBF

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Produktcode: 24062
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.0078
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
JHGF: THT
verfügbar 151 Stück:
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Technische Details IRF1407PBF IR

  • MOSFET, N, 75V, 130A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Cont Current Id:130A
  • On State Resistance:0.0078ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
  • Max Voltage Vds:75V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:7.8ohm
  • Power Dissipation:330W
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:520A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf1407-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf1407-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : International Rectifier IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf1407-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf1407-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf1407-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : Infineon Technologies irf1407pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db28c218c8 Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF1407_DataSheet_v01_01_EN-3363080.pdf MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBABB04EA951DD00C7&compId=irf1407pbf.pdf?ci_sign=d745832aa8dbbd733b93dbfdb32259059f0f1a39 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBABB04EA951DD00C7&compId=irf1407pbf.pdf?ci_sign=d745832aa8dbbd733b93dbfdb32259059f0f1a39 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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INR18650/35V EVE 3.5Ah, 3.6V, max10.2A, int ≤0.30mR, 50g, Grade A
Hersteller: EVE
Akkus > LiIon-Batterien
Technologie: Li-Ion
Größe/Typ: 18650
Kapazität mAh: 3500 mAh
Form: циліндрична
Spannung, V: 3,65 V
Maximale Dauer: 10 A
Gewicht, g: 50 g
verfügbar: 100 Stück
erwartet: 14000 Stück
8000 Stück - erwartet 10.06.2025
6000 Stück - erwartet 16.07.2025
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2SD882P (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: UTC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 80 MHz
Uceo,V: 30
Ucbo,V: 40
Ic,A: 3
h21: 400
ZCODE: THT
verfügbar: 400 Stück
60 Stück - stock Köln
340 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.16 EUR
10+0.15 EUR
100+0.13 EUR
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470uF 25V EFH 10x16 (EFH471M25B – Hitano)
Produktcode: 114670
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efh_20160323.pdf
470uF 25V EFH 10x16 (EFH471M25B – Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: EFH
Temp.Bereich: для баласту з довгим терміном служби, 105С
Abmessungen: -40...+105°C
Lebensdauer: 10х16mm
№ 8: 7000 годин
auf Bestellung 2450 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF840PBF
Produktcode: 182602
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irf840pbf-datasheet.pdf
IRF840PBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: THT
auf Bestellung 423 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LL4148
Produktcode: 2413
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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