IRF1407PBF

IRF1407PBF

Produktcode: 24062
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.0078
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160

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Technische Details IRF1407PBF

  • MOSFET, N, 75V, 130A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Cont Current Id:130A
  • On State Resistance:0.0078ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
  • Max Voltage Vds:75V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:7.8ohm
  • Power Dissipation:330W
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:520A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Preis IRF1407PBF ab 1.04 EUR bis 5.95 EUR

IRF1407PBF
Hersteller: INFIN

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IRF1407PBF
Hersteller: Rochester Electronics, LLC
Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Package / Case: TO-220-3
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5.6pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V
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IRF1407PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1407PBF
IRF1407PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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IRF1407PBF
IRF1407PBF
Hersteller: Infineon / IR
MOSFET MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
Infineon_IRF1407_DataSheet_v01_01_EN-1226865.pdf
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IRF1407PBF
IRF1407PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1407PBF - Power MOSFET, N Channel, 75 V, 130 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Through Hole
Transistor Polarity: N Channel
On Resistance Rds(on): 0.0078
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 330
Continuous Drain Current Id: 130
Operating Temperature Max: 175
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
Threshold Voltage Vgs: 4
Drain Source Voltage Vds: 75
Transistor Case Style: TO-220AB
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10
No. of Pins: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
2043031.pdf
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IRF1407PBF
IRF1407PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
infineon-irf1407-datasheet-v01_01-en.pdf
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IRF1407PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Material: IRF1407PBF THT N channel transistors
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IRF1407PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1407PBF
Hersteller: Rochester Electronics, LLC
Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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0,22 Ohm 3W 5% (SQP30JB-0R22)
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359 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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BT139-600E.127
Hersteller: NXP
Thyristoren, Dynistors, Triacs - Triacs
Gehäuse: TO-220
Umax, V: 600
I-auf, mA: 22
I max, A: 16
50 Stück - stock Köln
610 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 851 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
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