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IRF1407PBF

IRF1407PBF

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Produktcode: 24062
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.0078
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
JHGF: THT
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Technische Details IRF1407PBF IR

  • MOSFET, N, 75V, 130A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Cont Current Id:130A
  • On State Resistance:0.0078ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
  • Max Voltage Vds:75V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:7.8ohm
  • Power Dissipation:330W
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:520A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1407PBF IRF1407PBF International Rectifier IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
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IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1407pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
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IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies infineon-irf1407-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
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IRF1407PBF IRF1407PBF Infineon Technologies Infineon_IRF1407_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
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IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON INFN-S-A0012837751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
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IRF1407PBF description infineonirf1407datasheetv0101en.pdf
IRF1407PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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IRF1407PBF description infineonirf1407datasheetv0101en.pdf
IRF1407PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1407PBF description infineonirf1407datasheetv0101en.pdf
IRF1407PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3880 Stücke:
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IRF1407PBF description infineonirf1407datasheetv0101en.pdf
IRF1407PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Anzahl Preis
255+2.13 EUR
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IRF1407PBF description IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1407PBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
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IRF1407PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
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100+1.85 EUR
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IRF1407PBF description infineonirf1407datasheetv0101en.pdf
IRF1407PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
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IRF1407PBF description irf1407pbf.pdf
IRF1407PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
auf Bestellung 213 Stücke:
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21+3.47 EUR
39+1.87 EUR
44+1.64 EUR
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IRF1407PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
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5000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IRF1407PBF description Infineon_IRF1407_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF1407PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
auf Bestellung 2494 Stücke:
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Anzahl Preis
1+5.1 EUR
10+3.31 EUR
100+2.29 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.78 EUR
2000+1.66 EUR
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IRF1407PBF description INFN-S-A0012837751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1407PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
auf Bestellung 1486 Stücke:
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INR18650/35V EVE 3.5Ah, 3.6V, max10.2A, int ≤0.30mR, 50g, Grade A
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PBRI-INR18650-35V-D06-05-C.pdf
INR18650/35V EVE 3.5Ah, 3.6V, max10.2A, int ≤0.30mR, 50g, Grade A
Hersteller: EVE
Akkus > LiIon-Batterien
Technologie: Li-Ion
Größe/Typ: 18650
Kapazität mAh: 3500 mAh
Form: циліндрична
Spannung, V: 3,65 V
Maximale Dauer: 10 A
Gewicht, g: 50 g
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STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
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STP10NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
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1000uF 25V EHR 10x21mm (EHR102M25BA-Hitano)
Produktcode: 19355
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EHR_081225.pdf
1000uF 25V EHR 10x21mm (EHR102M25BA-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x21mm
Lebensdauer: 10х21mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
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3000 St. - erwartet 10.08.2026
Anzahl Preis
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100+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
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Zange HT-568R (GT-568B)
Produktcode: 22678
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Zange HT-568R (GT-568B)
Hersteller: Hanlong
Werkzeuge > Crimpzange
Тип: Crimpwerkzeuge
Опис: 7,3" (185mm) fur die Stauchung 8P8C/RJ-45, 6P6C/RJ-12, 6P4C/RJ-11
Призначення: роз'єми мережі
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