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IRF1407PBF

IRF1407PBF Infineon Technologies

infineonirf1407datasheetv0101en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details IRF1407PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf1407datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : International Rectifier IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf1407pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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29+2.52 EUR
51+1.42 EUR
55+1.3 EUR
59+1.22 EUR
100+1.13 EUR
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf1407pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf1407-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF1407_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf1407-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1627 Stücke:
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IRF1407PBF IRF1407PBF
Produktcode: 24062
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Hersteller : IR infineon-irf1407-datasheet-en.pdf IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.0078
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
JHGF: THT
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