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IRF3205SPBF

IRF3205SPBF

irf3205spbf-datasheet.pdf
Produktcode: 36593
Hersteller: IR
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
JHGF: SMD
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IRF3205SPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
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IRF3205SPBF Hersteller : Infineon irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
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IRF3205SPBF IRF3205SPBF Hersteller : Infineon Technologies irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
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IRF3205SPBF IRF3205SPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF3205S_DataSheet_v01_01_EN-1228340.pdf MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 97.3nC
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IRF3205SPBF IRF3205SPBF Hersteller : Infineon (IRF) irf3205s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 97.3nC
Kind of channel: enhanced
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094		 description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
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BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 17873		 BC817-40.pdf
BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,5
h21: 600
ZCODE: SMD
verfügbar: 7770 Stück
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NE5532P
Produktcode: 27236		 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fne5532
NE5532P
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: PDIP-8
Vc, V: ±15V
BW, MHz: 10
Vio, mV(Biasspannung): 0,5
Geschw. Nar., V/mks: 9
Temperaturbereich: -40…+85°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2
ZCODE: 2
verfügbar: 124 Stück
erwartet: 20 Stück
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TL494IDR
Produktcode: 60304		 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494
TL494IDR
Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-16
Eigenschaften: Voltage Mode PWM Controllers Control
Spannung, eing., V: 40V
I-ausg., A: 200mA
Fosc, kHz: 300
Temperaturbereich: -40…+85°C
verfügbar: 667 Stück
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10 kOhm 3296W (KLS4-3296W-103)
Produktcode: 98325		 kls4-3296-datasheet.pdf
10 kOhm 3296W (KLS4-3296W-103)
Hersteller: KLS
Widerstande Trimmer > Widerstand Trimmer THT
Nennwert: 10 kOhm
Serie: 3296W
Beschreibung: Trimmer, Ausfuhrungs-, Multiturn, Einstellung oben
Abmessungen: 9,53x10,03x4,83mm
Тип монтажу: Вертикальний
Потужність: 0,5 W
Механізм роботи: Багатооборотний
verfügbar: 2087 Stück
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