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IRF3205ZPBF

IRF3205ZPBF

irf3205z.pdf
Produktcode: 34997
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/110
Montage: THT
erwartet: 20 St.
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auf Bestellung: 230 St.
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Technische Details IRF3205ZPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 110A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:110A
  • On State Resistance:0.0065ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.9`C/W
  • Max Voltage Vds:55V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.0065ohm
  • Power Dissipation:170W
  • Power Dissipation Pd:170W
  • Pulse Current Idm:440A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 170W
Gate charge: 110nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 78A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.5mΩ
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.46 EUR
66+1.31 EUR
69+1.25 EUR
73+1.17 EUR
100+1.11 EUR
200+1.05 EUR
250+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
431+1.48 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.19 EUR
10000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 431 Stücke
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IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.18 EUR
108+2.17 EUR
150+1.43 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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IRF3205ZPBF description irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 170W
Gate charge: 110nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 78A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.5mΩ
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF3205ZPBF description infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3205ZPBF description INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 660 Stücke:
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
auf Bestellung: 3976 St.
  • 3976 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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R16 10 kOhm linear Mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B103-L15)
Produktcode: 28623
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ygigig468925rtdrtcdgvvfhge.jpg
R16 10 kOhm linear Mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B103-L15)
Hersteller: KLS
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 10 kOhm
Beschreibung: Kohle Potentiometer linear, Mono
Typ: Dreh
Abmessungen: D=17 mm
Leistung: 0,06 Вт
Welle: 15 мм
Kennlinie: linear
verfügbar: 56 St.
  • 56 St. - stock Köln
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100+0.43 EUR
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IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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infineon-irfz44n-datasheet-en.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
Montage: THT
verfügbar: 25 St.
  • 25 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1230 St.
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AnzahlPrivatkunde
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10+0.63 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Silikon-Pad TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Produktcode: 123772
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Silikon-Pad TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Isoliermaterialien
Gruppe: Wärmeleitpad
Beschreibung: Größen: 13x18x0.3mm mit Bohrung Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Größe: 13x18x0,3mm
Material: Silikon
Farbe: Weiß
auf Bestellung: 15845 St.
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47uF 63V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR470M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 1443
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EXR_080421.pdf
47uF 63V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR470M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47 µF
Nennspannung: 63 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 3000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 394 St.
  • 394 St. - stock Köln
auf Bestellung: 9518 St.
  • 9518 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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