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IRF3205ZPBF

Name: IRF3205ZPBF
Brand: IR
SKU: 34997
Price: 0.72 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 34997

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
JHGF: THT

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Technische Details IRF3205ZPBF IR

MOSFET, N, 55V, 110A, TO-220
Transistor Type:MOSFET
Transistor Polarity:N
Typ Voltage Vds:55V
Cont Current Id:110A
On State Resistance:0.0065ohm
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Typ Voltage Vgs th:4V
Case Style:TO-220AB
Termination Type:Through Hole
Junction to Case Thermal Resistance A:0.9`C/W
Max Voltage Vds:55V
On State resistance @ Vgs = 10V:0.0065ohm
Power Dissipation:170W
Power Dissipation Pd:170W
Pulse Current Idm:440A
Transistor Case Style:TO-220AB

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IRF3205ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF3205ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

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IRF3205ZPBF

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IRF3205ZPBF

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Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF3205ZPBF

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Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF3205ZPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IRF3205ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF3205ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V

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IRF3205ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg

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IRF3205ZPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT

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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT

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Schrumpfschlauch 14mm grün (Schrumpfbereich 14,0mm) KLS8-01140-HT-14.0-G
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Schrumpfschlauch 14mm grün (Schrumpfbereich 14,0mm) KLS8-01140-HT-14.0-G

Hersteller: KLS
Isoliermaterialien
Gruppe: Schrumpfrohre
Beschreibung: Schrumpfrohr, Durchmesser.vor/nach Schrumpfung: 14/7mm; Farbe:GRÜN ; Kompressiontemperatur +90°С; Betriebstemperatur. -55…+125°С; Radialkompressions >50%, Längskompression <5%; dielektrische Festigkeit >25kV/mm, Material: Polyolefin.
Größe: Durchmesser. 14,0mm
зелений

verfügbar: 25 m

erwartet: 300 m

300 m - erwartet 13.12.2025

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10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1526

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10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)

Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805

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41620 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

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100+	0.0034 EUR
1000+	0.0028 EUR

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IRFZ44VPBF
Produktcode: 35444

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IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 55
Rds(on), Ohm: 0.0165
Ciss, pF/Qg, nC: 1812/67
JHGF: THT

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