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IRF3205ZPBF

IRF3205ZPBF

irf3205z.pdf
Produktcode: 34997
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/110
Montage: THT
auf Bestellung 275 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.86 EUR
10+0.81 EUR
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Technische Details IRF3205ZPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 110A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:110A
  • On State Resistance:0.0065ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.9`C/W
  • Max Voltage Vds:55V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.0065ohm
  • Power Dissipation:170W
  • Power Dissipation Pd:170W
  • Pulse Current Idm:440A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.46 EUR
66+1.31 EUR
69+1.25 EUR
73+1.17 EUR
100+1.11 EUR
200+1.05 EUR
250+1.02 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 51339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
431+1.54 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.23 EUR
10000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 431 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 1049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.15 EUR
108+2.15 EUR
151+1.42 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies irf3205z.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.69 EUR
50+2.28 EUR
100+2.06 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF3205ZPBF description irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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AnzahlPrivatkunde
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IRF3205ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 51339 Stücke:
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IRF3205ZPBF description INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
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IRF3205ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 506 Stücke:
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
auf Bestellung 1210 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 St.:
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10+1.73 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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infineon-irfz44n-datasheet-en.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
Montage: THT
verfügbar: 1498 St.
  • 25 St. - stock Köln
  • 1473 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
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10+0.33 EUR
100+0.32 EUR
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R16 10 kOhm linear Mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B103-L15)
Produktcode: 28623
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ygigig468925rtdrtcdgvvfhge.jpg
R16 10 kOhm linear Mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B103-L15)
Hersteller: CTR
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 10 kOhm
Beschreibung: Kohle Potentiometer linear, Mono
Typ: Dreh
Abmessungen: D=17 mm
Leistung: 0,06 Вт
Welle: 15 мм
Kennlinie: linear
verfügbar: 2571 St.
  • 56 St. - stock Köln
  • 2515 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 50 St.
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.81 EUR
    10+0.67 EUR
    100+0.43 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    Silikon-Pad TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
    Produktcode: 123772
    4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    Silikon-Pad TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
    Isoliermaterialien
    Gruppe: Wärmeleitpad
    Beschreibung: Größen: 13x18x0.3mm mit Bohrung Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
    Größe: 13x18x0,3mm
    Material: Silikon
    Farbe: Weiß
    auf Bestellung 582 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    erwartet 30000 St.:
    5000 St. - erwartet 09.08.2026
    5000 St. - erwartet 09.08.2026
    5000 St. - erwartet 09.08.2026
    5000 St. - erwartet 09.08.2026
    5000 St. - erwartet 09.08.2026
    5000 St. - erwartet 09.08.2026
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (Widerstand SMD)
    Produktcode: 1526
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    		RC_series.pdf
    10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (Widerstand SMD)
    Hersteller: Hitano
    Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
    Nennwert: 10 Ohm
    Toleranz: ±1% F
    P Nenn., W: 0,125 W
    U Betrieb, V: 150 V
    Bauform: 0805
    verfügbar: 13974 St.
    • 3474 St. - stock Köln
    • 10500 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    erwartet: 30000 St.
    • 30000 St. - erwartet 29.10.2026
    AnzahlPrivatkunde
    10+0.006 EUR
    100+0.004 EUR
    1000+0.0033 EUR
    Mindestbestellmenge: 10 St.
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH