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IRF3205ZPBF

IRF3205ZPBF

irf3205z.pdf
Produktcode: 34997
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
JHGF: THT
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Technische Details IRF3205ZPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 110A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:110A
  • On State Resistance:0.0065ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.9`C/W
  • Max Voltage Vds:55V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.0065ohm
  • Power Dissipation:170W
  • Power Dissipation Pd:170W
  • Pulse Current Idm:440A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
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IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irf3205z.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
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5000+ 1.79 EUR
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IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 13323 Stück:
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
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Größe: Durchmesser. 14,0mm
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Produktcode: 22366		 irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
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U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 20/1500
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 0.5/0.5
Роб.темп.,°С: -20…+85°C
verfügbar: 451 Stück
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