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IRF4905STRLPBF

irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980
Produktcode: 173205
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Technische Details IRF4905STRLPBF

  • MOSFET, P, 55V, D2-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:55V
  • On State Resistance:0.02ohm
  • Transistor Case Style:D2-PAK
  • Alternate Case Style:TO-262AB
  • Case Style:D2-PAK
  • Cont Current Id:74A
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Voltage Vgs th:2V
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulse Current Idm:260A
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Polarity:P
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vds:55V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf description P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.86 EUR
1600+1.81 EUR
2400+1.76 EUR
4000+1.7 EUR
5600+1.49 EUR
8000+1.46 EUR
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IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf description P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.86 EUR
1600+1.78 EUR
2400+1.69 EUR
4000+1.61 EUR
5600+1.38 EUR
8000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf description P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
auf Bestellung 57600 Stücke:
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800+1.88 EUR
1600+1.79 EUR
2400+1.71 EUR
4000+1.63 EUR
5600+1.39 EUR
8000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf description P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
auf Bestellung 57600 Stücke:
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800+1.88 EUR
1600+1.84 EUR
2400+1.78 EUR
4000+1.72 EUR
5600+1.51 EUR
8000+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF4905STRLPBF.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.75 EUR
29+2.55 EUR
33+2.2 EUR
50+1.97 EUR
100+1.79 EUR
250+1.57 EUR
500+1.44 EUR
800+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf description P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
auf Bestellung 1262 Stücke:
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33+4.47 EUR
47+3.13 EUR
100+2.29 EUR
800+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON 136279.pdf description Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 17927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON 136279.pdf description Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 17927 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 description Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.6 EUR
1600+2.43 EUR
2400+2.34 EUR
4000+2.24 EUR
5600+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF4905S_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
auf Bestellung 7193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.12 EUR
10+4.01 EUR
100+2.9 EUR
500+2.43 EUR
800+2.25 EUR
2400+2.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 description Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 11149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.27 EUR
10+4.77 EUR
100+3.35 EUR
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IRF4905STRLPBF International Rectifier/Infineon irf4905spbf.pdf description P-канальний ПТ, Id = 42 А, Ptot, Вт = 170, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 42 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 36 Stücke
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IRF4905STRLPBF description infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf
IRF4905STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
800+1.86 EUR
1600+1.81 EUR
2400+1.76 EUR
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5600+1.49 EUR
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905STRLPBF description infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf
IRF4905STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
auf Bestellung 10400 Stücke:
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AnzahlPreis
800+1.86 EUR
1600+1.78 EUR
2400+1.69 EUR
4000+1.61 EUR
5600+1.38 EUR
8000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF4905STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
auf Bestellung 57600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
800+1.88 EUR
1600+1.79 EUR
2400+1.71 EUR
4000+1.63 EUR
5600+1.39 EUR
8000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF4905STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
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AnzahlPreis
800+1.88 EUR
1600+1.84 EUR
2400+1.78 EUR
4000+1.72 EUR
5600+1.51 EUR
8000+1.47 EUR
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IRF4905STRLPBF description IRF4905STRLPBF.pdf
IRF4905STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
20+3.75 EUR
29+2.55 EUR
33+2.2 EUR
50+1.97 EUR
100+1.79 EUR
250+1.57 EUR
500+1.44 EUR
800+1.43 EUR
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IRF4905STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
33+4.47 EUR
47+3.13 EUR
100+2.29 EUR
800+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905STRLPBF description 136279.pdf
IRF4905STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 17927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF4905STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
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IRF4905STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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1600+2.43 EUR
2400+2.34 EUR
4000+2.24 EUR
5600+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF4905STRLPBF description Infineon_IRF4905S_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF4905STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
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IRF4905STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
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Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRF4905STRLPBF description irf4905spbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Id = 42 А, Ptot, Вт = 170, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 42 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
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Betriebstemperatur, °С: 8051
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IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SO-8
Uin, V: 15
Uout,V: 3
Iout,A: 0.03
Udrop, V: 1.1
ZCODE: SMD
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500 Ohm 3296W-1-501-Bourns (Potentiometer Trimmer Multiturn 3/8" Ausfuhrungs-, Einstellung oben; 9,53x10,03x4,83mm)
Produktcode: 24252
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3296.pdf
500 Ohm 3296W-1-501-Bourns (Potentiometer Trimmer Multiturn 3/8" Ausfuhrungs-, Einstellung oben; 9,53x10,03x4,83mm)
Hersteller: Bourns
Widerstande Trimmer > Widerstand Trimmer THT
Nennwert: 500 Ohm
Serie: 3296W
Beschreibung: Trimmer, Ausfuhrungs-, Multiturn, Einstellung oben
Abmessungen: 9,53x10,03x4,83mm
Тип монтажу: Вертикальний
Потужність: 0,5 W
Механізм роботи: Багатооборотний
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100uF 35V EXR 8x12mm (EXR101M35B-Hitano)
Produktcode: 14639
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EXR_080421.pdf
100uF 35V EXR 8x12mm (EXR101M35B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 35V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 3000 Stunden
№ 8: 3000 годин
8532 22 00 00
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