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IRF4905STRLPBF

irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980
Produktcode: 173205
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Technische Details IRF4905STRLPBF

  • MOSFET, P, 55V, D2-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:55V
  • On State Resistance:0.02ohm
  • Transistor Case Style:D2-PAK
  • Alternate Case Style:TO-262AB
  • Case Style:D2-PAK
  • Cont Current Id:74A
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Voltage Vgs th:2V
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulse Current Idm:260A
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Polarity:P
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vds:55V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf description P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
auf Bestellung 38400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf description P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
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IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 description Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 15200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2400+2.43 EUR
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IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON 136279.pdf description Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 17603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.7 EUR
500+3.49 EUR
1000+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf description P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.37 EUR
100+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF4905STRLPBF.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.46 EUR
29+3.03 EUR
33+2.62 EUR
50+2.34 EUR
100+2.13 EUR
250+1.87 EUR
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IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf description P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
auf Bestellung 1262 Stücke:
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30+5.94 EUR
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IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF4905S_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
auf Bestellung 14476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+4.8 EUR
100+3.39 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 description Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON 136279.pdf description Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
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IRF4905STRLPBF International Rectifier/Infineon irf4905spbf.pdf description P-канальний ПТ, Id = 42 А, Ptot, Вт = 170, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 42 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 36 Stücke
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IRF4905STRLPBF description infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf
IRF4905STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
auf Bestellung 38400 Stücke:
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800+2.24 EUR
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IRF4905STRLPBF description infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf
IRF4905STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
auf Bestellung 38400 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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IRF4905STRLPBF description irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980
IRF4905STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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2400+2.43 EUR
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IRF4905STRLPBF description 136279.pdf
IRF4905STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 17603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.7 EUR
500+3.49 EUR
1000+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF4905STRLPBF description infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf
IRF4905STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+4.37 EUR
100+2.94 EUR
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IRF4905STRLPBF description IRF4905STRLPBF.pdf
IRF4905STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+4.46 EUR
29+3.03 EUR
33+2.62 EUR
50+2.34 EUR
100+2.13 EUR
250+1.87 EUR
500+1.71 EUR
800+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRF4905STRLPBF description infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf
IRF4905STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+5.94 EUR
44+3.97 EUR
100+2.21 EUR
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IRF4905STRLPBF description Infineon_IRF4905S_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF4905STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
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10+4.8 EUR
100+3.39 EUR
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IRF4905STRLPBF description irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980
IRF4905STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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10+4.96 EUR
50+3.84 EUR
100+3.47 EUR
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IRF4905STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 17603 Stücke:
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30+8.5 EUR
45+5.27 EUR
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500+3.49 EUR
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Id = 42 А, Ptot, Вт = 170, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 42 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 36 Stücke
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2,2uF 50V X5R 10% 0805 (CL21A225KBFNNNE-Samsung)
Produktcode: 149389
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cl21a225kbfnnne.pdf
2,2uF 50V X5R 10% 0805 (CL21A225KBFNNNE-Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 2,2 мкФ
Nennspannung: 50 В
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
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  • 20000 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
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SN74HC244DW
Produktcode: 165094
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IRF4905PBF
Produktcode: 22366
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IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 74 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3400/180
Montage: THT
auf Bestellung: 1786 St.
  • 1786 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+1.71 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
51 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-51R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 19311
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RC_series.pdf
51 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-51R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 51 Ohm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet
auf Bestellung: 373 St.
  • 373 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.006 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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