IRF510

IRF510

Produktcode: 30002
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
Ciss, pF/Qg, nC: 01.05.135

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25 Stück - stock Köln

1+ 0.44 EUR
10+ 0.42 EUR

Technische Details IRF510

Möglichen Substitutionen

IRF510PBF
IRF510PBF
Produktcode: 44439
Hersteller: Fairchild
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
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291 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.57 EUR
10+ 0.42 EUR
IRF510PBF(Transistor)
Produktcode: 67239
Hersteller:
Elektronische Bauelemente und Systeme - Verschiedene Bauteile 2


Preis IRF510 ab 0.33 EUR bis 2.45 EUR

IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
Material: IRF510PBF THT N channel transistors
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auf Bestellung 491 Stücke
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+ 0.48 EUR
155+ 0.46 EUR
171+ 0.42 EUR
200+ 0.36 EUR
211+ 0.34 EUR
1000+ 0.33 EUR
IRF510PBF
Hersteller: VISH/IR

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auf Bestellung 352 Stücke
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100+ 0.84 EUR
150+ 0.72 EUR
550+ 0.66 EUR
1450+ 0.62 EUR
IRF510
Hersteller: SILI
N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6? Trans. IRF510 TO220 TIRF510
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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auf Bestellung 150 Stücke
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+ 1 EUR
IRF510
Hersteller: VISHAY
N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6? Trans. IRF510 TO220 TIRF510
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRF510
Hersteller: SILI
N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6? Trans. IRF510 TO220 TIRF510
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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auf Bestellung 50 Stücke
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IRF510
Hersteller: SILI
N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6? Trans. IRF510 TO220 TIRF510
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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auf Bestellung 400 Stücke
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181+ 0.79 EUR
187+ 0.74 EUR
250+ 0.7 EUR
IRF510PBF
IRF510PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V N-CH HEXFET D2-PAK
VISH_S_A0001815307_1-2567869.pdf
auf Bestellung 3492 Stücke
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250+ 1.59 EUR
IRF510PBF
IRF510PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Supplier Device Package: TO-220AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tube
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auf Bestellung 15676 Stücke
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11+ 2.18 EUR
100+ 1.7 EUR
500+ 1.4 EUR
1000+ 1.11 EUR
IRF510
IRF510
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510 - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220, Through Hole
Transistor Polarity: N Channel
On Resistance Rds(on): 0.54
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 43
Continuous Drain Current Id: 5.6
Operating Temperature Max: 175
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
Threshold Voltage Vgs: 4
Drain Source Voltage Vds: 100
Transistor Case Style: TO-220
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10
No. of Pins: 3
SVHC: To Be Advised
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IRF510PBF
IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Through Hole
Transistor Polarity: N Channel
On Resistance Rds(on): 0.54
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 43
Continuous Drain Current Id: 5.6
Operating Temperature Max: 175
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
Threshold Voltage Vgs: 4
Drain Source Voltage Vds: 100
Transistor Case Style: TO-220AB
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10
No. of Pins: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
2243888.pdf
5769 Stücke
IRF510PBF
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF510
IRF510
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF510
IRF510
Hersteller:
/to-220/
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15 Stücke
IRF510PBF
Hersteller:
IRF510 N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V TO220
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auf Bestellung 20 Stücke
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
N-CH 100V 5,6A 540mOhm TO220AB
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IRF510PBF
Hersteller:
IRF510 N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V TO220
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IRF510
IRF510
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF510PBF
sihf510-1768607.pdf
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IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
sihf510.pdf
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IRF510
IRF510
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Supplier Device Package: TO-220AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
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IRF510
IRF510
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Supplier Device Package: TO-220AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
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IRF510PBF
Produktcode: 44439
sihf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Fairchild
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
291 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 16539 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
1+ 0.57 EUR
10+ 0.42 EUR
Möglichen Substitutionen
IRF510
Produktcode: 30002
Analogon
IRF510PBF(Transistor)
Produktcode: 67239
1N4148 Schaltdiode THT 100V 200mA 4ns Ultraschnell Universaldiode
Produktcode: 7711
техническая информация 1n4148-datasheet.pdf
1N4148 Schaltdiode THT 100V 200mA 4ns Ultraschnell Universaldiode
Hersteller: YJ/Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100
Iav, A: 01.02.2000
Trr, ns: Schneller
Bemerkung: 1N4448
2802 Stück - stock Köln
16444 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.3 EUR
10+ 0.25 EUR
100+ 0.05 EUR
1000+ 0.0062 EUR
Möglichen Substitutionen
1N4448
Produktcode: 20338
47pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N470J1HL2-L)
Produktcode: 38832
multilayer_ceramic_capacitorsepoxxyy.pdf
47pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N470J1HL2-L)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische - Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 47pF
Nennspannung: 50V
TKE: NP0
Präzision: ±5% J
Abmessungen: 2,54mm
Part Nummer: R15N470J1HL2-L
1000 Stück - stock Köln
1419 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
10+ 0.044 EUR
100+ 0.023 EUR
1000+ 0.021 EUR
330pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N331J1HL2-L)
Produktcode: 2903
multilayer_ceramic_capacitorsepoxxyy.pdf
330pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N331J1HL2-L)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische - Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 330pF
Nennspannung: 50V
TKE: NP0
Präzision: ±5% J
Abmessungen: 2,54mm
Part Nummer: R15N331J1HL-2L
250 Stück - stock Köln
984 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
10+ 0.06 EUR
100+ 0.022 EUR
1000+ 0.02 EUR