IRF510PBF (Fairchild) - Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld

IRF510PBF

IRF510PBF

Produktcode: 44439
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54

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10+ 0.42 EUR

Technische Details IRF510PBF

Möglichen Substitutionen

IRF510
IRF510
Produktcode: 30002
Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
Ciss, pF/Qg, nC: 01.05.135
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25 Stück - stock Köln
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Analogon

IRF510PBF(Transistor)
Produktcode: 67239
Hersteller:
Elektronische Bauelemente und Systeme - Verschiedene Bauteile 2


Preis IRF510PBF ab 0.33 EUR bis 2.45 EUR

IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
Material: IRF510PBF THT N channel transistors
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200+ 0.36 EUR
211+ 0.34 EUR
1000+ 0.33 EUR
IRF510PBF
Hersteller: VISH/IR

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100+ 0.84 EUR
150+ 0.72 EUR
550+ 0.66 EUR
1450+ 0.62 EUR
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF510PBF
IRF510PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V N-CH HEXFET D2-PAK
VISH_S_A0001815307_1-2567869.pdf
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250+ 1.59 EUR
IRF510PBF
IRF510PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Supplier Device Package: TO-220AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tube
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1000+ 1.11 EUR
IRF510PBF
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF510PBF
IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Through Hole
Transistor Polarity: N Channel
On Resistance Rds(on): 0.54
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 43
Continuous Drain Current Id: 5.6
Operating Temperature Max: 175
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
Threshold Voltage Vgs: 4
Drain Source Voltage Vds: 100
Transistor Case Style: TO-220AB
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10
No. of Pins: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
2243888.pdf
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IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
N-CH 100V 5,6A 540mOhm TO220AB
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IRF510PBF
Hersteller:
IRF510 N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V TO220
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IRF510PBF
Hersteller:
IRF510 N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V TO220
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IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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1N4007 Dioden Brücke
Produktcode: 1574
техническая информация 1N4001-1N4007.pdf
1N4007 Dioden Brücke
Hersteller: YJ/Microsemi
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
№ 7: 8541100090
3155 Stück - stock Köln
41044 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.35 EUR
10+ 0.1 EUR
100+ 0.05 EUR
1000+ 0.011 EUR
1N4148 Schaltdiode THT 100V 200mA 4ns Ultraschnell Universaldiode
Produktcode: 7711
техническая информация 1n4148-datasheet.pdf
1N4148 Schaltdiode THT 100V 200mA 4ns Ultraschnell Universaldiode
Hersteller: YJ/Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100
Iav, A: 01.02.2000
Trr, ns: Schneller
Bemerkung: 1N4448
2802 Stück - stock Köln
16444 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.3 EUR
10+ 0.25 EUR
100+ 0.05 EUR
1000+ 0.0062 EUR
Möglichen Substitutionen
1N4448
Produktcode: 20338
L7805ABV
Produktcode: 26993
en.CD00000444.pdf
L7805ABV
Hersteller: ST
IC - IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 30
Uout,V: 5
Iout,A: 1
Udrop, V: 1.7
Temperaturbereich: -40...125
23 Stück - stock Köln
542 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 34882 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
1+ 0.26 EUR
10+ 0.23 EUR
6,8nF 2kV Z5V M(+/-20%) D<=10,5mm (KE3D682M-L516BD10.5-Hitano)
Produktcode: 23438
HI_Voltage_070726.pdf
6,8nF 2kV Z5V M(+/-20%) D<=10,5mm (KE3D682M-L516BD10.5-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische - Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 6,8nF
Nennspannung: 2000V
TKE: Z5V
Präzision: ±20% M
Abmessungen: D<=10,5mm
Part Nummer: KE3D682M-L516BD10.5
№ 8: 8532 24 00 00
60 Stück - stock Köln
407 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.25 EUR
10+ 0.14 EUR
100+ 0.11 EUR
1000+ 0.099 EUR