Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRF510PBF Fairchild
IRF510PBF

IRF510PBF Fairchild

irf510.pdf
Produktcode: 44439
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet 200 St.:
200 St. - erwartet 23.04.2026
Anzahl Preis
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10+0.42 EUR
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IRF510 IRF510
Produktcode: 30002
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Hersteller : Siliconix irf510.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
Ciss, pF/Qg, nC: 01.05.135
JHGF: THT
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Anzahl Preis
1+0.44 EUR
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IRF510PBF
Produktcode: 186965
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IRF510PBF IRF510PBF Hersteller : VISHAY IRF510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
auf Bestellung 1141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
94+0.77 EUR
111+0.65 EUR
121+0.59 EUR
250+0.52 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 81
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IRF510PBF IRF510PBF Hersteller : VISHAY IRF510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1141 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
94+0.77 EUR
111+0.65 EUR
121+0.59 EUR
250+0.52 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 81
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IRF510PBF IRF510PBF Hersteller : Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
137+1.06 EUR
149+0.94 EUR
250+0.8 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 137
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IRF510PBF IRF510PBF Hersteller : Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
129+1.12 EUR
131+1.07 EUR
150+0.9 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 129
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IRF510PBF IRF510PBF Hersteller : Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
128+1.13 EUR
129+1.08 EUR
149+0.91 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 128
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IRF510PBF IRF510PBF Hersteller : Vishay Semiconductors irf510.pdf MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 8912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.04 EUR
10+1.22 EUR
100+1.03 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Hersteller : Vishay Siliconix irf510.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 18255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.06 EUR
50+1.48 EUR
100+1.32 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.96 EUR
2000+0.89 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IRF510PBF IRF510PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0019270467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF510PBF IRF510PBF Hersteller : Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF510PBF IRF510PBF Hersteller : Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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BFG591.115
Produktcode: 59748
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BFG591.115
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-223
fT: 7000 MHz
Uceo,V: 3
Ucbo,V: 15
Ic,A: 0,2
ZCODE: SMD
auf Bestellung 37 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 St.:
200 St. - erwartet 23.04.2026
Anzahl Preis
1+0.97 EUR
10+0.87 EUR
100+0.8 EUR
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1000uF 100V ECR 18x41mm (ECR102M2AB-Hitano)
Produktcode: 2947
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ECR_081225.pdf
1000uF 100V ECR 18x41mm (ECR102M2AB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 100V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 18x41mm
Lebensdauer: 18х41mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 131 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.26 EUR
10+1.13 EUR
100+0.95 EUR
1000+0.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4,7uF 400V ECR 10x16mm (ECR4R7M2GB-Hitano)
Produktcode: 3140
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ECR_081225.pdf
4,7uF 400V ECR 10x16mm (ECR4R7M2GB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 400V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 10x16mm
Lebensdauer: 10х16mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 4016 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.14 EUR
10+0.11 EUR
100+0.082 EUR
1000+0.073 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UC3845BN
Produktcode: 4328
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CD00000966-105506.pdf
UC3845BN
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 8.2...30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: -40...+150°C
auf Bestellung 569 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.06 EUR
10+0.84 EUR
100+0.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE555P IC Timer
Produktcode: 26138
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description
NE555P IC Timer
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 3553 St.
208 St. - stock Köln
3345 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.5 EUR
10+0.24 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH