IRF9510

IRF9510

Produktcode: 57715
Hersteller: Vishay
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 4
Rds(on),Om: 10
Ciss, pF/Qg, nC: 200/8.7

irf9510-datasheet.pdf
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1+ 0.33 EUR
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Technische Details IRF9510

  • MOSFET, P TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:1.2ohm
  • Power Dissipation:20W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:3A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • No. of Transistors:1
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation Pd:20W
  • Pulse Current Idm:12A
  • Transistor Polarity:P

Preis IRF9510 ab 0.3 EUR bis 1.05 EUR

IRF9510
Hersteller: VISHAY
P-MOSFET 4A 100V 43W 1.2? Trans. IRF9510 TO220 TIRF9510
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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IRF9510
Hersteller: SILI
P-MOSFET 4A 100V 43W 1.2? Trans. IRF9510 TO220 TIRF9510
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
91072.pdf HRISSD78-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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Hersteller: SILI
P-MOSFET 4A 100V 43W 1.2? Trans. IRF9510 TO220 TIRF9510
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
91072.pdf HRISSD78-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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IRF9510
IRF9510
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9510
Hersteller:
IRF9510 TO 220
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IRF9510
Hersteller: Vishay/IR

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IRF9510
IRF9510
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF9510PBF
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IRF9510
IRF9510
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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IRF9510
IRF9510
Hersteller: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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Idd,A: 05.06.2015
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IRF630
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Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 200
Idd,A: 9
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 600/19
121 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 24408 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
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10+ 0.37 EUR
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IRF630NPBF
Produktcode: 15961