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IRF9510

IRF9510 Vishay

irf9510-datasheet.pdf
Produktcode: 57715
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Hersteller: Vishay
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 200/8,7
Montage: THT
verfügbar: 33 St.
  • 12 St. - stock Köln
  • 21 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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Technische Details IRF9510 Vishay

  • MOSFET, P TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:1.2ohm
  • Power Dissipation:20W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:3A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • No. of Transistors:1
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation Pd:20W
  • Pulse Current Idm:12A
  • Transistor Polarity:P

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF9510 IRF9510 Harris Corporation HRISSD78-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
313+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 313 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510 Siliconix HRISSD78-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 4A; 43W; -55°C ~ 175°C; IRF9510 TIRF9510
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF9510 HARRIS HRISSD78-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF9510
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
392+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 392 Stücke
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IRF9510 description HRISSD78-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF9510
Hersteller: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
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IRF9510 description HRISSD78-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Siliconix
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 4A; 43W; -55°C ~ 175°C; IRF9510 TIRF9510
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IRF9510 description HRISSD78-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: HARRIS
IRF9510
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IRF9510 description HRISSD78-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: HARRIS
IRF9510
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Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Montage: THT
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Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
verfügbar: 1527 St.
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10+1.24 EUR
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1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106
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CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 1 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 4387 St.
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  • 3223 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 40000 St.
  • 40000 St. - erwartet 10.08.2026
AnzahlPrivatkunde
10+0.027 EUR
100+0.021 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4,7 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-4K7R-Hitano) (S)
Produktcode: 13778
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CR-S_080911.pdf
4,7 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-4K7R-Hitano) (S)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 4,7 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 1831 St.
  • 1177 St. - stock Köln
  • 654 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10000 St.
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10 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10K-Hitano)
Produktcode: 13787
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10 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 10 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
auf Bestellung 21101 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 40000 St.:
40000 St. - erwartet
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10+0.027 EUR
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Mindestbestellmenge: 10 St.
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