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IRF9510

IRF9510 Vishay

irf9510-datasheet.pdf
Produktcode: 57715
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Hersteller: Vishay
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 4
Rds(on),Om: 10
Ciss, pF/Qg, nC: 200/8.7
/: THT
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Technische Details IRF9510 Vishay

  • MOSFET, P TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:1.2ohm
  • Power Dissipation:20W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:3A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • No. of Transistors:1
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation Pd:20W
  • Pulse Current Idm:12A
  • Transistor Polarity:P

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF9510 IRF9510 Hersteller : Harris Corporation HRISSD78-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 1387 Stücke:
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IRF9510 Hersteller : Siliconix HRISSD78-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91072.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 4A; 43W; -55°C ~ 175°C; IRF9510 TIRF9510
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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IRF9510 Hersteller : HARRIS HRISSD78-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91072.pdf IRF9510
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IRF9510 Hersteller : HARRIS HRISSD78-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91072.pdf IRF9510
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IRF9510 IRF9510 Hersteller : Vishay Siliconix 91072.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
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IRF9510 IRF9510 Hersteller : onsemi / Fairchild HRISSD78-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91072.pdf MOSFETs
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IRF9510 IRF9510 Hersteller : Vishay / Siliconix HRISSD78-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91072.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 1695 St.
26 St. - stock Köln
1669 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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4,7 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-4K7-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 4,7 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 4913 St.
1177 St. - stock Köln
3736 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IRF510PBF
Produktcode: 44439
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IRF510PBF
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
JHGF: THT
auf Bestellung 155 St.:
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Verstellbare DC-DC auf LM2596S
Produktcode: 109750
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Verstellbare DC-DC auf LM2596S
+1
Hersteller: Китай
Netzteile und Ladegeräte > Blocks DC_DC Wandler
Spannung. in., V: 7...35VDC
Spannung. out,VDC: 1,25...30VDC
Maximaler Ausgangsstrom: 3 A
Gehäuse, Abmessungen, mm: 48x24mm
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IRF9520PBF
Produktcode: 123233
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IRF9520PBF
Hersteller: Vishay / Siliconix
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Id,A: 6,8 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 390/18
/: THT
auf Bestellung 18 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH