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IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix)

IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix)

Produktcode: 44439
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Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 5,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Montage: THT
auf Bestellung: 83 St.
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AnzahlPrivatkunde
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Mindestbestellmenge: 119 Stücke
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF510PBF IRF510PBF VISHAY IRF510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1193 Stücke:
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83+1.04 EUR
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500+0.71 EUR
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay Semiconductors irf510.pdf MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
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IRF510PBF IRF510PBF VISHAY VISH-S-A0019270467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 8448 Stücke:
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay Siliconix irf510.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 14755 Stücke:
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5+5.21 EUR
50+2.57 EUR
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Hersteller: Vishay
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IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF510PBF
Hersteller: Vishay
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IRF510PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
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IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
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IRF510PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
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IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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NE555P
Produktcode: 26138
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description na555.pdf?ts=1779184670697&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FNA555
NE555P
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer; 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 198 St.
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100+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510
Produktcode: 57715
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description irf9510-datasheet.pdf
IRF9510
Hersteller: Vishay
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 200/8,7
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
auf Bestellung: 21 St.
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AnzahlPrivatkunde
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100+0.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520 (TO-220 ST)
Produktcode: 186775
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IRF520 (TO-220 ST)
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 9,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Montage: THT
auf Bestellung: 117 St.
  • 117 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.46 EUR
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BFR93A
Produktcode: 1793
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BFR93A.pdf
BFR93A
Hersteller: Infineon
Transistoren > HF-Transistoren
Gehäuse: SOT-23
Frequenz, fT: 6 GHz
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung Uce, V: 12 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucb, V: 20 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,05 A
verfügbar: 40 St.
  • 40 St. - stock Köln
auf Bestellung: 667 St.
  • 667 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.18 EUR
10+0.15 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFG135
Produktcode: 1783
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BFG135.pdf
BFG135
Hersteller: Philips
Transistoren > HF-Transistoren
Gehäuse: SOT-223
Frequenz, fT: 7 GHz
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung Uce, V: 15 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucb, V: 25 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,15 A
Produkt ist nicht verfügbar
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