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IRF520 (TO-220 ST)

IRF520 (TO-220 ST)

Produktcode: 186775
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
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IRF520 Hersteller : Siliconix IRF520.pdf irl620.pdf N-MOSFET 9.2A 100V 60W 0.27Ω IRF520 TIRF520
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IRF520 Hersteller : Siliconix IRF520.pdf irl620.pdf N-MOSFET 9.2A 100V 60W 0.27Ω IRF520 TIRF520
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IRF520 IRF520 Hersteller : Vishay 91017.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF520 IRF520 Hersteller : STMicroelectronics 262cd00000698.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF520 IRF520 Hersteller : STMicroelectronics IRF520.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
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IRF520 IRF520 Hersteller : Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
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NE555P IC Timer
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description
NE555P IC Timer
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IC > IC Timer
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Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
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1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
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Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
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2N7000
Produktcode: 182880
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datasheet_2N7000.pdf
2N7000
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,32 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
JHGF: THT
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BS170-D26Z
Produktcode: 143717
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mmbf170-d.pdf MMBF170-D.PDF
BS170-D26Z
Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 1741 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Макетная плата 3x7 двухсторонняя, зеленая
Produktcode: 144386
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Макетная плата 3x7 двухсторонняя, зеленая
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 30x70мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 240 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
auf Bestellung 727 Stück:
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erwartet 1120 Stück:
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