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IRF520 (TO-220 ST)


Produktcode: 186775
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 9,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF520 IRF520 STMicroelectronics IRF520.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRF520 IRF520 Vishay Siliconix irf520.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
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IRF520 IRF520 STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00000698.pdf MOSFETs N-Ch 100 Volt 10 Amp
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IRF520 IRF520 Vishay / Siliconix IRF520.pdf irf520.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
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IRF520 IRF520.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRF520 irf520.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
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IRF520 stmicroelectronics_cd00000698.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100 Volt 10 Amp
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IRF520 IRF520.pdf irf520.pdf
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
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1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106
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CR-S_080911.pdf
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 1 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 664 St.
  • 664 St. - stock Köln
erwartet: 41000 St.
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auf Bestellung: 17026 St.
  • 17026 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.75 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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10 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10K-Hitano)
Produktcode: 13787
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CR-S_080911.pdf
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 10 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
erwartet: 40000 St.
  • 40000 St. - erwartet
auf Bestellung: 5491 St.
  • 5491 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.75 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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IRF630NPBF
Produktcode: 15961
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description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 9,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 575/35
Montage: THT
verfügbar: 2 St.
  • 2 St. - stock Köln
auf Bestellung: 197 St.
  • 197 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.7 EUR
10+0.62 EUR
100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
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IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix)
Produktcode: 44439
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 5,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Montage: THT
auf Bestellung: 48 St.
  • 48 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.82 EUR
10+0.77 EUR
100+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF
Produktcode: 50641
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irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10,5
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 920/37
Montage: THT
auf Bestellung: 44 St.
  • 44 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.69 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH