IRF5305PBF

IRF5305PBF

Produktcode: 40618
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63

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Technische Details IRF5305PBF

Preis IRF5305PBF ab 0.45 EUR bis 4.11 EUR

IRF5305PBF
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P- ; Udss, = 55; Id = 31 ; Ptot, = 110; . = ; Ciss, @ Uds, = 1200 @ 25; Qg, = 63 @ 10 ; Rds = 60 @ 16 A, 10 ; T, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 @ 250 ; TO-220AB
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IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF5305PBF
IRF5305PBF
Hersteller: Infineon / IR
MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
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IRF5305PBF
IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
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IRF5305PBF
IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF5305PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Material: IRF5305PBF THT P channel transistors
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IRF5305PBF
Hersteller:
IRF5305 MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB
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Hersteller:
IRF5305 MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB
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Hersteller:
IRF5305 MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB
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IRF5305 MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Material: IRF5305PBF THT P channel transistors
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IRF5305 MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB
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IRF5305 MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB
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IRF5305PBF
Hersteller: International Rectifier Corporation
TO-220AB
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Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 100
If(A): 20
VF@IF: 0,8
Bemerkung: OK 2x10
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
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Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 41
Rds(on), Ohm: 0.022
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
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Produktcode: 22366
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Transistoren - Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
12 Stück - stock Köln
180 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 2471 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
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