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IRF5305PBF

IRF5305PBF

irf5305pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 40618
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT
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IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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148+0.99 EUR
149+0.95 EUR
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Mindestbestellmenge: 148 Stücke
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IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5305.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
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43+1.7 EUR
70+1.02 EUR
81+0.88 EUR
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104+0.69 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.57 EUR
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IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies Infineon_IRF5305_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
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IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies irf5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e370101993 Description: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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4+4.93 EUR
50+2.42 EUR
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IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON INFN-S-A0012826566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
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IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPreis
1000+0.86 EUR
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5000+0.81 EUR
10000+0.69 EUR
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IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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148+0.99 EUR
149+0.95 EUR
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500+0.72 EUR
1000+0.63 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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500+1.12 EUR
1000+1.01 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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108+1.36 EUR
109+1.32 EUR
126+1.12 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF5305PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1402 Stücke:
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70+1.02 EUR
81+0.88 EUR
93+0.77 EUR
104+0.69 EUR
500+0.61 EUR
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1250+0.56 EUR
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IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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87+1.7 EUR
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IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
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IRF5305PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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IRF5305PBF INFN-S-A0012826566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5305PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
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PC817A
Produktcode: 18418
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pc817a.pdf
PC817A
Hersteller: Sharp
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler, CTR: 80...160%
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 18/18
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
№ 8: 8542 39 90 00
auf Bestellung 9806 St.:
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10+0.12 EUR
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IRF4905PBF
Produktcode: 22366
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irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 1305 St.:
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erwartet 50 St.:
AnzahlPreis
1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-10K)
Produktcode: 13787
6 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
CR-S_080911.pdf
10 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-10K)
Hersteller: Uni Ohm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: вугільно-плівкові
auf Bestellung 24026 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
10+0.01 EUR
100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP1117ST33T3G
Produktcode: 26776
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ncp1117-d.pdf
NCP1117ST33T3G
Hersteller: ON
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-223
Uin, V: 20
Uout,V: 3.3
Iout,A: 1
Udrop, V: 1.07
Bemerkung: Fixed
Temperaturbereich: 0…125
verfügbar: 435 St.
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