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IRF5305PBF

Name: IRF5305PBF
Brand: IR
SKU: 40618
Price: 0.47 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 40618

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT

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IRF5305PBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF5305PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF5305PBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF5305PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

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7+	2.75 EUR
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500+	1.03 EUR
1000+	0.93 EUR
2000+	0.86 EUR
5000+	0.79 EUR
10000+	0.78 EUR

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IRF5305PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRF5305_DataSheet_v01_01_EN-3362784.pdf

MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC

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10+	2.09 EUR
25+	1.42 EUR
100+	1.30 EUR
500+	1.03 EUR
1000+	0.93 EUR
2000+	0.88 EUR

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IRF5305PBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012826566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IRF5305PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF5305PBF

Hersteller : IR

Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm

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IRF5305PBF

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Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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1N4007
Produktcode: 176822

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Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V

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PC817A
Produktcode: 18418

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Hersteller: Sharp
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler, CTR: 80...160%
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 18/18
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
№ 8: 8542 39 90 00

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10+	0.12 EUR
100+	0.09 EUR

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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094

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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT

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10+	1.45 EUR
100+	1.00 EUR

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BZX55-C5V1
Produktcode: 26390

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Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 5,1
Istab.direkt,A: 0,078
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -0.8mV/K

verfügbar: 8302 Stück

1100 Stück - stock Köln
7202 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

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1+	0.04 EUR
10+	0.03 EUR
100+	0.03 EUR
1000+	0.02 EUR

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R16 10 kOhm linear mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B103-L15)
Produktcode: 28623

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R16 10 kOhm linear mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B103-L15)

Hersteller: CTR
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 10 kOhm
Beschreibung: Kohlenstoff- Potentiometer linear, mono
Typ: verdrehbar
Abmessungen: D=17 мм
Потужність: 0,06 W
Шток: 15 mm
Характеристика: Лінійний

verfügbar: 323 Stück

71 Stück - stock Köln
252 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

erwartet: 2000 Stück

2000 Stück - erwartet 20.07.2025

Anzahl	Preis
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10+	0.56 EUR
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