IRF5305PBF

IRF5305PBF


irf5305pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 40618
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT
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IRF5305PBF IRF5305PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF5305PBF IRF5305PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf5305.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 110W
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IRF5305PBF IRF5305PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF5305_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
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IRF5305PBF IRF5305PBF Hersteller : Infineon Technologies irf5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e370101993 Description: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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50+1.5 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
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IRF5305PBF IRF5305PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012826566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
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PC817A
Produktcode: 18418
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pc817a.pdf
PC817A
Hersteller: Sharp
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler, CTR: 80...160%
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 18/18
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
№ 8: 8542 39 90 00
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10+0.12 EUR
100+0.088 EUR
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IRF4905PBF
Produktcode: 22366
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irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
auf Bestellung 14 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 St.:
2000 St. - erwartet 20.06.2026
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10+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 kOhm 3296W (KLS4-3296W-103)
Produktcode: 98325
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kls4-3296-datasheet.pdf
10 kOhm 3296W (KLS4-3296W-103)
Hersteller: KLS
Widerstande Trimmer > Widerstand Trimmer THT
Nennwert: 10 kOhm
Serie: 3296W
Beschreibung: Trimmer, Ausfuhrungs-, Multiturn, Einstellung oben
Abmessungen: 9,53x10,03x4,83mm
Тип монтажу: Вертикальний
Потужність: 0,5 W
Механізм роботи: Багатооборотний
verfügbar: 559 St.
95 St. - stock Köln
464 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 4000 St.
4000 St. - erwartet 15.07.2026
Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 74557 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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