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IRF530

IRF530 International Rectifier

TIRF530n_0531.pdf
Hersteller: International Rectifier
Код виробника: IRF530N RoHS N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? Transistors
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Technische Details IRF530 International Rectifier

Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V.

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IRF530NPBF IRF530NPBF
Produktcode: 50641
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Hersteller : IR irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: THT
auf Bestellung 474 St.:
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IRF530 IRF530
Produktcode: 175506
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Hersteller : Siliconix vishay_53091019-1211608.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 26/670
JHGF: THT
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IRF530 Hersteller : Siliconix IRF530.pdf irf530.pdf HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
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IRF530 Hersteller : Infineon TIRF530n_0531.pdf Код виробника: IRF530N RoHS N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? Transistors
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IRF530 Hersteller : Infineon TIRF530n_0531.pdf Код виробника: IRF530NPBF N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? Transistors
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IRF530 Hersteller : Infineon TIRF530n_0531.pdf Код виробника: IRF530NPBF N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? Transistors
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IRF530 Hersteller : Infineon TIRF530n_0531.pdf Код виробника: IRF530NPBF N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? Transistors
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IRF530 IRF530
Produktcode: 14593
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Hersteller : IR IRF530.pdf irf530.pdf HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
JHGF: THT
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IRF530 Hersteller : STM IRF530.pdf N-кан. MOSFET 100V, 14A, 0.115Ом, 60Вт, -55...+175, TO-220 (STripFET MOSFET) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRF530 Hersteller : Vishay Semiconductor IRF530.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 14 А, Ptot, Вт = 88, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 670 @ 25, Qg, нКл = 26, Rds = 0,16 Ом @ 10 B, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2...4 B,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
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IRF530 IRF530 Hersteller : STMicroelectronics IRF530.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 25 V
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IRF530 IRF530 Hersteller : Vishay Siliconix irf530.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
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IRF530 IRF530 Hersteller : onsemi HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
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IRF530 IRF530 Hersteller : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00000699.pdf MOSFETs N-Ch 100 Volt 16 Amp
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IRF530 IRF530 Hersteller : Vishay / Siliconix vishay_53091019.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
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