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IRF530

IRF530 Siliconix

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Hersteller: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
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Technische Details IRF530 Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF530NPBF IRF530NPBF
Produktcode: 50641
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IR irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10,5
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 920/37
Montage: THT
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IRF530NPBF
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IRF530NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10,5
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 920/37
Montage: THT
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IRF530 IRF530
Produktcode: 14593
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IR IRF530.pdf irf530.pdf HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 14 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 670/26
Montage: THT
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IRF530 IRF530
Produktcode: 175506
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Siliconix vishay_53091019-1211608.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 14 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 26/670
Montage: THT
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IRF530 STM IRF530.pdf N-кан. MOSFET 100V, 14A, 0.115Ом, 60Вт, -55...+175, TO-220 (STripFET MOSFET) Транзистори
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IRF530 Vishay Semiconductor IRF530.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 14 А, Ptot, Вт = 88, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 670 @ 25, Qg, нКл = 26, Rds = 0,16 Ом @ 10 B, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2...4 B,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
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IRF530 IRF530 STMicroelectronics IRF530.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF530 IRF530 Vishay Siliconix irf530.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
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IRF530 IRF530 onsemi HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
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IRF530 IRF530 STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00000699.pdf MOSFETs N-Ch 100 Volt 16 Amp
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IRF530 IRF530 Vishay / Siliconix vishay_53091019.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
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IRF530
Produktcode: 14593
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IRF530.pdf irf530.pdf HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF530
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 14 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 670/26
Montage: THT
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IRF530
Produktcode: 175506
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IRF530
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 14 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 26/670
Montage: THT
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IRF530 IRF530.pdf
Hersteller: STM
N-кан. MOSFET 100V, 14A, 0.115Ом, 60Вт, -55...+175, TO-220 (STripFET MOSFET) Транзистори
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Hersteller: Vishay Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 14 А, Ptot, Вт = 88, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 670 @ 25, Qg, нКл = 26, Rds = 0,16 Ом @ 10 B, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2...4 B,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
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IRF530
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 25 V
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IRF530
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
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IRF530 HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF530
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
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IRF530 stmicroelectronics_cd00000699.pdf
IRF530
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100 Volt 16 Amp
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IRF530
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
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