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IRF630 (TO-220, ST)

IRF630 (TO-220, ST)

Produktcode: 3058
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 600/19
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+0.58 EUR
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Möglichen Substitutionen IRF630 (TO-220, ST) ST

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF630NPBF IRF630NPBF
Produktcode: 15961
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IR irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 9,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 575/35
Montage: THT
verfügbar: 2 St.
  • 2 St. - stock Köln
auf Bestellung: 206 St.
  • 206 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.7 EUR
10+0.62 EUR
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IRF630NPBF
Produktcode: 15961
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description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 9,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 575/35
Montage: THT
verfügbar: 2 St.
  • 2 St. - stock Köln
auf Bestellung: 206 St.
  • 206 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF630 IRF630 Siliconix TIRF630_0631.pdf description N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF630 IRF630 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.27 EUR
92+2.53 EUR
140+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 ST MICROELECTRONICS en.CD00000701.pdf description N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 JSMicro Semiconductor TIRF630_JSM_JSMICRO_0001.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.68 EUR
104+1.63 EUR
130+1.29 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.89 EUR
93+1.83 EUR
119+1.39 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 STMicroelectronics irf630.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Drain current: 5.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.45 EUR
55+1.56 EUR
63+1.37 EUR
69+1.24 EUR
100+1.12 EUR
250+0.98 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.48 EUR
103+1.62 EUR
104+1.54 EUR
130+1.19 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.03 EUR
90+1.84 EUR
92+1.75 EUR
118+1.31 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.CD00000701.pdf description MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
auf Bestellung 1872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+2.34 EUR
100+1.54 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.93 EUR
5000+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.CD00000701.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 3222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.18 EUR
10+3.33 EUR
50+2.53 EUR
100+2.28 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf description IRF630
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf description IRF630
auf Bestellung 11535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+2.14 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.71 EUR
10000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf description IRF630
auf Bestellung 10770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+2.14 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.71 EUR
10000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description TIRF630_0631.pdf
IRF630
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+4.27 EUR
92+2.53 EUR
140+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf
Hersteller: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description TIRF630_JSM_JSMICRO_0001.pdf
IRF630
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
103+1.68 EUR
104+1.63 EUR
130+1.29 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+1.89 EUR
93+1.83 EUR
119+1.39 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description irf630.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Drain current: 5.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+2.45 EUR
55+1.56 EUR
63+1.37 EUR
69+1.24 EUR
100+1.12 EUR
250+0.98 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
70+2.48 EUR
103+1.62 EUR
104+1.54 EUR
130+1.19 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+3.03 EUR
90+1.84 EUR
92+1.75 EUR
118+1.31 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
auf Bestellung 1872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.56 EUR
10+2.34 EUR
100+1.54 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.93 EUR
5000+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 3222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+5.18 EUR
10+3.33 EUR
50+2.53 EUR
100+2.28 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF630
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
301+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF630
auf Bestellung 11535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
301+2.14 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.71 EUR
10000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF630
auf Bestellung 10770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
301+2.14 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.71 EUR
10000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH