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IRF630 (TO-220, ST)

IRF630 (TO-220, ST)

Produktcode: 3058
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 600/19
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF630NPBF IRF630NPBF
Produktcode: 15961
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IR irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 9,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 575/35
Montage: THT
verfügbar: 225 St.
  • 2 St. - stock Köln
  • 223 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.43 EUR
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IRF630NPBF
Produktcode: 15961
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description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 9,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 575/35
Montage: THT
verfügbar: 225 St.
  • 2 St. - stock Köln
  • 223 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF630 IRF630 JSMicro Semiconductor TIRF630_JSM_JSMICRO_0001.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.74 EUR
103+1.7 EUR
124+1.37 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
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IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.74 EUR
103+1.65 EUR
124+1.32 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.76 EUR
101+1.69 EUR
122+1.34 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.77 EUR
101+1.73 EUR
122+1.4 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 Siliconix TIRF630_0631.pdf description N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF630 IRF630 STMicroelectronics irf630.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
On-state resistance: 0.4Ω
Version: ESD
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220-3
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.45 EUR
55+1.56 EUR
63+1.37 EUR
69+1.24 EUR
100+1.12 EUR
250+0.98 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
auf Bestellung 10770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+2.19 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.76 EUR
10000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
auf Bestellung 11535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+2.19 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.76 EUR
10000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 ST MICROELECTRONICS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 Harris Corporation HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 22679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
241+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
auf Bestellung 2654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+2.26 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1 EUR
2000+0.9 EUR
5000+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.CD00000701.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 6846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.07 EUR
50+2.49 EUR
100+2.24 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.65 EUR
2000+1.54 EUR
5000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description TIRF630_JSM_JSMICRO_0001.pdf
IRF630
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
102+1.74 EUR
103+1.7 EUR
124+1.37 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
102+1.74 EUR
103+1.65 EUR
124+1.32 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+1.76 EUR
101+1.69 EUR
122+1.34 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+1.77 EUR
101+1.73 EUR
122+1.4 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description TIRF630_0631.pdf
IRF630
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description irf630.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
On-state resistance: 0.4Ω
Version: ESD
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220-3
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+2.45 EUR
55+1.56 EUR
63+1.37 EUR
69+1.24 EUR
100+1.12 EUR
250+0.98 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: HARRIS
IRF630
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
301+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: HARRIS
IRF630
auf Bestellung 10770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
301+2.19 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.76 EUR
10000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: HARRIS
IRF630
auf Bestellung 11535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
301+2.19 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.76 EUR
10000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF630
Hersteller: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 22679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
241+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
auf Bestellung 2654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.44 EUR
10+2.26 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1 EUR
2000+0.9 EUR
5000+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 6846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+5.07 EUR
50+2.49 EUR
100+2.24 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.65 EUR
2000+1.54 EUR
5000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH