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IRF644PBF

IRF644PBF

IRF644.pdf
Produktcode: 181182
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
JHGF: THT
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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151+0.96 EUR
153+0.91 EUR
155+0.87 EUR
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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60+2.42 EUR
83+1.69 EUR
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1000+0.82 EUR
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IRF644 IRF644
Produktcode: 22636
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Hersteller : IR IRF644.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 250
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 0.24
JHGF: THT
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1+0.84 EUR
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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138+1.05 EUR
150+0.93 EUR
152+0.89 EUR
153+0.84 EUR
155+0.8 EUR
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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94+1.55 EUR
109+1.28 EUR
110+1.22 EUR
111+1.12 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.77 EUR
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89CC054AA72469&compId=IRF644PBF.pdf?ci_sign=eef51ab49aa85f1d986da9533b7adea2e6150d11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 125W
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 56A
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
44+1.63 EUR
55+1.32 EUR
65+1.12 EUR
100+1.04 EUR
250+0.96 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89CC054AA72469&compId=IRF644PBF.pdf?ci_sign=eef51ab49aa85f1d986da9533b7adea2e6150d11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 125W
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 56A
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
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44+1.63 EUR
55+1.32 EUR
65+1.12 EUR
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250+0.96 EUR
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1872 Stücke:
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83+1.76 EUR
84+1.6 EUR
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500+1.25 EUR
1000+0.86 EUR
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : Vishay Semiconductors 91039.pdf MOSFETs TO220 250V 14A N-CH MOSFET
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10+1.72 EUR
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IRF644 IRF644 Hersteller : Harris Corporation HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 14A, 250V, 0.28 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
133+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 133
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : Vishay Siliconix 91039.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.74 EUR
50+3.47 EUR
100+3.15 EUR
500+2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : Vishay sihf644.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 460 Stücke:
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0019267824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF644PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRF644 Hersteller : HARRIS HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91039.pdf IRF644
auf Bestellung 23619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
175+3.11 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.58 EUR
10000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 175
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IRF644PBF IRF644PBF
Produktcode: 123223
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Hersteller : SILI sihf644-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 8,5 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/68
JHGF: THT
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IRF644 Hersteller : HARRIS HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91039.pdf IRF644
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
175+3.11 EUR
500+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 175
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IRF644 IRF644 Hersteller : Vishay / Siliconix HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91039.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644 IRF644 Hersteller : Vishay sihf644.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF644 IRF644 Hersteller : STMicroelectronics HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91039.pdf MOSFETs N-Ch 250 Volt 14 Amp
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IRF644 IRF644 Hersteller : Vishay Siliconix 91039.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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MER 100nF 250V K(+/-10%), P=10mm, 5,5x10x13mm (MER104K2EB-Hitano)
Produktcode: 19339
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MER_070523.pdf
MER 100nF 250V K(+/-10%), P=10mm, 5,5x10x13mm (MER104K2EB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 100nF
Nennspannung, V: 250VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=10mm, 5,5x10x13mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER104K2EB
ZCODE: 8532 29 00 00
verfügbar: 11774 Stück
33 Stück - stock Köln
11741 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.08 EUR
10+0.06 EUR
100+0.051 EUR
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BZX55-C3V6
Produktcode: 17956
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BZX55.pdf
BZX55-C3V6
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 3,6
Istab.direkt,A: 0,111
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -2.4mV/K
auf Bestellung 4714 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.028 EUR
1000+0.026 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPX(class X2) 4,7nF 310VAC K(+/-10%), P=10mm, 5x11x12,5mm (MPX472K2FBA-Hitano)
Produktcode: 6560
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MPX_081006.pdf
MPX(class X2) 4,7nF 310VAC K(+/-10%), P=10mm, 5x11x12,5mm (MPX472K2FBA-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 4,7nF
Nennspannung, V: 310VAC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=10mm, 5x11x12,5mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polypropylen
Abschwächungskonstante: 0,1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MPX472K2FBA
ZCODE: 8532 25 00 00
verfügbar: 2005 Stück
105 Stück - stock Köln
1900 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.16 EUR
10+0.12 EUR
100+0.074 EUR
1000+0.069 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF
Produktcode: 4381
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description irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7
IRFZ24NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT
verfügbar: 188 Stück
39 Stück - stock Köln
149 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 500 Stück
500 Stück - erwartet 27.11.2025
Anzahl Preis
1+0.4 EUR
10+0.35 EUR
100+0.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZV55-C6V2
Produktcode: 4319
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BZV55.pdf
BZV55-C6V2
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 6,2
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 2.3mV/K
№ 6: 8541100090
auf Bestellung 2255 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.028 EUR
1000+0.027 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH