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IRF644PBF

IRF644PBF Vishay

91039.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Technische Details IRF644PBF Vishay

Description: VISHAY - IRF644PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF644 IRF644 Hersteller : Harris Corporation HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 14A, 250V, 0.28 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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IRF644 Hersteller : HARRIS HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91039.pdf IRF644
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175+3.11 EUR
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IRF644 Hersteller : HARRIS HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91039.pdf IRF644
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IRF644 IRF644
Produktcode: 22636
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Hersteller : IR IRF644.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 250
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 0.24
JHGF: THT
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IRF644PBF IRF644PBF
Produktcode: 123223
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Hersteller : SILI sihf644-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 8,5 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/68
JHGF: THT
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0019267824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF644PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : Vishay sihf644.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF644PBF IRF644PBF
Produktcode: 181182
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Hersteller : IR IRF644.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
JHGF: THT
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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166+0.84 EUR
172+0.78 EUR
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : VISHAY IRF644PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
46+1.57 EUR
54+1.35 EUR
100+1.23 EUR
250+1.07 EUR
500+0.94 EUR
750+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 42
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : VISHAY IRF644PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 639 Stücke:
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Anzahl Preis
42+1.73 EUR
46+1.57 EUR
54+1.35 EUR
100+1.23 EUR
250+1.07 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 42
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
56+2.62 EUR
65+2.17 EUR
100+1.91 EUR
250+1.59 EUR
500+1.35 EUR
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : Vishay Semiconductors 91039.pdf MOSFETs TO220 250V 14A N-CH MOSFET
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1+3.43 EUR
10+2.15 EUR
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500+1.16 EUR
1000+1.03 EUR
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IRF644PBF IRF644PBF Hersteller : Vishay Siliconix 91039.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.6 EUR
50+3.39 EUR
100+3.08 EUR
500+2.54 EUR
1000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644 IRF644 Hersteller : Vishay sihf644.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644 IRF644 Hersteller : Vishay / Siliconix HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91039.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
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IRF644 IRF644 Hersteller : STMicroelectronics HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91039.pdf MOSFETs N-Ch 250 Volt 14 Amp
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IRF644 IRF644 Hersteller : Vishay Siliconix 91039.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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