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IRF7105PBF

IRF7105PBF

irf7105pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 113418
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 25 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9.4
Bem.: Два транзистори N+P в одному корпусі
JHGF: SMD
auf Bestellung 41 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRF7105PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:25V
  • On State Resistance:0.1ohm
  • Power Dissipation:2W
  • Transistor Case Style:SOIC
  • No. of Pins:8
  • Case Style:SOIC
  • Cont Current Id:2.3A
  • Cont Current Id N Channel 2:3.5A
  • Cont Current Id P Channel:2.3A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance N Channel:0.1ohm
  • Max On State Resistance P Channel:0.25ohm
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Transistors:2
  • Power Dissipation Pd:2W
  • Pulse Current Idm:10A
  • Pulse Current Idm N Channel 2:14A
  • Pulse Current Idm P Channel:10A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7105
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Polarity:NP
  • Typ Voltage Vds:25V
  • Typ Voltage Vgs th:3V
  • Voltage Vds:25V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF7105PBF IRF7105PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7105-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
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IRF7105PBF IRF7105PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7105_DataSheet_v01_01_EN-3363130.pdf MOSFET 25V DUAL N / P CH 20 VGS MAX V
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IRF7105
Produktcode: 32592
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description irf7105-datasheet.pdf
IRF7105
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 25
Idd,A: 3.5 (2.3)
Rds(on), Ohm: 0.1(0.25)
Ciss, pF/Qg, nC: 04.09.330
Bem.: N+P
JHGF: SMD
verfügbar: 175 St.
15 St. - stock Köln
160 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.29 EUR
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BC846A (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 2036
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BC846A.pdf
BC846A (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65
Ucbo,V: 80
Ic,A: 0,1
h21: 220
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1833 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.034 EUR
100+0.021 EUR
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MC34119L
Produktcode: 23071
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MC34119L
Hersteller: UTC
IC > IC Telefonie
Gehäuse: SO-8
Beschreibung: LOW POWER AUDIO AMPLIFIER
auf Bestellung 4 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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22,6 kOhm 1% 0,125W 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 18365
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RC_series.pdf
22,6 kOhm 1% 0,125W 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 22,6 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 11206 St.
1200 St. - stock Köln
10006 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.005 EUR
100+0.0034 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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ES1J
Produktcode: 3349
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ES1 series.pdf
ES1J
Hersteller: YJ/TSC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 600
Iav, A: 1
Trr, ns: 20
ZCODE: 8541 10 00 90
auf Bestellung 1629 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.08 EUR
10+0.07 EUR
100+0.062 EUR
1000+0.054 EUR
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