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IRF7105PBF

IRF7105PBF

irf7105pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 113418
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 25 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9.4
Bem.: Два транзистори N+P в одному корпусі
JHGF: SMD
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Technische Details IRF7105PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:25V
  • On State Resistance:0.1ohm
  • Power Dissipation:2W
  • Transistor Case Style:SOIC
  • No. of Pins:8
  • Case Style:SOIC
  • Cont Current Id:2.3A
  • Cont Current Id N Channel 2:3.5A
  • Cont Current Id P Channel:2.3A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance N Channel:0.1ohm
  • Max On State Resistance P Channel:0.25ohm
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Transistors:2
  • Power Dissipation Pd:2W
  • Pulse Current Idm:10A
  • Pulse Current Idm N Channel 2:14A
  • Pulse Current Idm P Channel:10A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7105
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Polarity:NP
  • Typ Voltage Vds:25V
  • Typ Voltage Vgs th:3V
  • Voltage Vds:25V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF7105PBF Hersteller : International Rectifier irf7105.pdf (HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,25V,2A,SO-8) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRF7105PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf7105pbf.pdf Транзистор польовий N+P, Udss, В = 25, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 15, Qg, нКл = 27 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, I2 = 2,3 А,... Група товару: Транзистори Корп
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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IRF7105PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf7105pbf.pdf Транзистор польовий N+P, Udss, В = 25, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 15, Qg, нКл = 27 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Id2 = 2,3 A,... Група товару: Транзистори Кор
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IRF7105PBF IRF7105PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7105-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
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IRF7105PBF IRF7105PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7105_DataSheet_v01_01_EN-3363130.pdf MOSFET 25V DUAL N / P CH 20 VGS MAX V
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
/: THT
auf Bestellung 691 St.:
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Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 7,3/5,3A
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Bem.: HalbbruckeN+P (7,3/5,3A)
JHGF: SMD
auf Bestellung 49 St.:
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10+0.44 EUR
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Uceo,V: 65
Ucbo,V: 80
Ic,A: 0,1
h21: 220
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1733 St.:
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10+0.034 EUR
100+0.021 EUR
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Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
U, V: 150
U, V: 160
I, А: 0.3
h21,max: 240
auf Bestellung 148 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+0.048 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.032 EUR
10000+0.031 EUR
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