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IRF7105PBF

IRF7105PBF

irf7105pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 113418
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 25 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9.4
Bem.: Два транзистори N+P в одному корпусі
JHGF: SMD
auf Bestellung 34 St.:
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Technische Details IRF7105PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:25V
  • On State Resistance:0.1ohm
  • Power Dissipation:2W
  • Transistor Case Style:SOIC
  • No. of Pins:8
  • Case Style:SOIC
  • Cont Current Id:2.3A
  • Cont Current Id N Channel 2:3.5A
  • Cont Current Id P Channel:2.3A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance N Channel:0.1ohm
  • Max On State Resistance P Channel:0.25ohm
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Transistors:2
  • Power Dissipation Pd:2W
  • Pulse Current Idm:10A
  • Pulse Current Idm N Channel 2:14A
  • Pulse Current Idm P Channel:10A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7105
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Polarity:NP
  • Typ Voltage Vds:25V
  • Typ Voltage Vgs th:3V
  • Voltage Vds:25V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF7105PBF International Rectifier irf7105.pdf description (HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,25V,2A,SO-8) Транзистори
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IRF7105PBF International Rectifier/Infineon irf7105pbf.pdf description Транзистор польовий N+P, Udss, В = 25, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 15, Qg, нКл = 27 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, I2 = 2,3 А,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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IRF7105PBF International Rectifier/Infineon irf7105pbf.pdf description Транзистор польовий N+P, Udss, В = 25, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 15, Qg, нКл = 27 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Id2 = 2,3 A,... Транзистори Корпус: SOICN-8 О
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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IRF7105PBF IRF7105PBF Infineon Technologies infineon-irf7105-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
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IRF7105PBF IRF7105PBF Infineon Technologies Infineon_IRF7105_DataSheet_v01_01_EN-3363130.pdf description MOSFET 25V DUAL N / P CH 20 VGS MAX V
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IRF7105PBF description irf7105.pdf
Hersteller: International Rectifier
(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,25V,2A,SO-8) Транзистори
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IRF7105PBF description irf7105pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 25, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 15, Qg, нКл = 27 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, I2 = 2,3 А,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 25, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 15, Qg, нКл = 27 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Id2 = 2,3 A,... Транзистори Корпус: SOICN-8 О
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IRF7105PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
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IRF7105PBF description Infineon_IRF7105_DataSheet_v01_01_EN-3363130.pdf
IRF7105PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET 25V DUAL N / P CH 20 VGS MAX V
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Gehäuse: SOIC-8
Vc, V: 2,5,...5,5 V
BW, MHz: 10 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 0,5 mV
Geschw. Nar., V/mks: 7 V/µs
Temperaturbereich: -40…+85°C
Bemerkungen: Rail-to-Rail
ZCODE: 2
Монтаж: SMD
auf Bestellung 85 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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LD1117 series.pdf
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Hersteller: ST
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Gehäuse: SOT-223
Uin, V: 15
Uout,V: 3.3
Iout,A: 0.8
Udrop, V: 1.1
Bemerkung: Fixed
Temperaturbereich: -40…150
verfügbar: 952 St.
20 St. - stock Köln
932 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
10+0.39 EUR
100+0.22 EUR
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BC846A (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 2036
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BC846A (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65
Ucbo,V: 80
Ic,A: 0,1
h21: 220
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1733 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.034 EUR
100+0.021 EUR
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BC846B (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 2035
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BC846, 847.pdf
BC846B (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65
Ucbo,V: 80
Ic,A: 0,1
h21: 450
ZCODE: SMD
auf Bestellung 50 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.016 EUR
1000+0.012 EUR
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