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IRF7201PBF

IRF7201PBF

IRF7201PBF.pdf
Produktcode: 24055
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 07.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
JHGF: SMD
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Technische Details IRF7201PBF IR

  • MOSFET, N, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:7.3A
  • On State Resistance:0.03ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:30V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:2.5W
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:58A
  • SMD Marking:F7201
  • Voltage Vds:30V
  • Transistor Case Style:SOIC

Analogon IRF7201PBF IR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF
Produktcode: 42753
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Hersteller : IR irf7201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f13efb1ada Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
JHGF: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF7201PBF IRF7201PBF Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS18529-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7201PBF - IRF7201 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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IRF7201PBF IRF7201PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC N Tube
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IRF7201PBF IRF7201PBF Hersteller : IR - ASA only Supplier infineon-irf7201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC N Tube
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IRF7201PBF IRF7201PBF Hersteller : Infineon Technologies irf7201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f13efb1ada Description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
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IRF7201PBF IRF7201PBF Hersteller : Infineon / IR Infineon_IRF7201_DataSheet_v01_01_EN-1732579.pdf MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 30mOhms 19nC
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IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076
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irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 22696 Stück
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10000uF 35V ECR 22x41mm (ECR103M35B-Hitano)
Produktcode: 2372
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ECR_081225.pdf
10000uF 35V ECR 22x41mm (ECR103M35B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10000uF
Nennspannung: 35V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 25x41mm
Lebensdauer: 25x41mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 123 Stück:
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SS14
Produktcode: 1577
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SS14.pdf
SS14
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Vrrm(V): 40
If(A): 1
VF@IF: 0,5
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 40 A
№ 7: 8541 10 00 10
auf Bestellung 3828 Stück:
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6,2 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1368
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RC_series.pdf
6,2 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 6,2 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 17890 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 10
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LM2901N
Produktcode: 1277
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NATLS13283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
LM2901N
Hersteller: TI
IC > IC Vergleicher
Gehäuse: DIP-14
Beschreibung: Anzahl Kanale: 4; U-Strom, V: ±18; tз, нс: 300; Typ-Ausgang: OK; Uсм, мV: 7; I-verbr., mA: 2;
Udss,V: ±18 V
Id,A: 0.006 A
Bemerkung: -40...+125°C
verfügbar: 142 Stück
25 Stück - stock Köln
117 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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