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IRF7201PBF

IRF7201PBF

IRF7201PBF.pdf
Produktcode: 24055
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 7,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 550/19
Bemerkung: -
Montage: SMD
auf Bestellung 67 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details IRF7201PBF IR

  • MOSFET, N, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:7.3A
  • On State Resistance:0.03ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:30V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:2.5W
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:58A
  • SMD Marking:F7201
  • Voltage Vds:30V
  • Transistor Case Style:SOIC

Analogon IRF7201PBF IR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF
Produktcode: 42753
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IR infineon-irf7201-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f13efb1ada description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 7,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,03 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 550/19
Montage: SMD
auf Bestellung 2995 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7201TRPBF
Produktcode: 42753
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description infineon-irf7201-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f13efb1ada
IRF7201TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 7,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,03 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 550/19
Montage: SMD
auf Bestellung 2995 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7201PBF IRF7201PBF ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS18529-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7201PBF - IRF7201 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
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productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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IRF7201PBF Infineon Technologies infineon-irf7201-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f13efb1ada description Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC Tube
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201PBF description IRSDS18529-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF7201PBF
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7201PBF - IRF7201 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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IRF7201PBF description infineon-irf7201-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f13efb1ada
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC Tube
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IRF7389PBF
Produktcode: 25148
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description IRF7389PBF.pdf
IRF7389PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 7,3/5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Zwei Transistoren N+P in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung 27 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.55 EUR
10+0.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MKT 1,5uF 63V 5% (B32529C0155J189 (B32529C155J189) -Epcos, уп..1100шт.) (Folienkondensator)
Produktcode: 14701
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mkt_ epcos.pdf
MKT 1,5uF 63V 5% (B32529C0155J189 (B32529C155J189) -Epcos, уп..1100шт.) (Folienkondensator)
Hersteller: Epcos
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 1,5 µF
Nennspannung, V: 63 VDC / 40 VAC
Präzision: ±5% J
Anschlussraster und Abmessungen: 5 mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Gehäusegröße: 6x10,5x7,5 mm
Part Nummer: B32529C155J189
auf Bestellung 33762 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.14 EUR
10+0.12 EUR
100+0.1 EUR
1000+0.087 EUR
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10 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10K-Hitano)
Produktcode: 13787
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CR-S_080911.pdf
10 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 10 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
auf Bestellung 21231 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 40000 St.:
40000 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
10+0.012 EUR
100+0.0067 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4,7 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-4K7R-Hitano) (S)
Produktcode: 13778
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CR-S_080911.pdf
4,7 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-4K7R-Hitano) (S)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 4,7 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 1861 St.
  • 1177 St. - stock Köln
  • 684 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet 06.10.2026
AnzahlPrivatkunde
10+0.012 EUR
100+0.0067 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3,3 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-3K3R-Hitano) (S)
Produktcode: 13774
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CR-S_080911.pdf
3,3 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-3K3R-Hitano) (S)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 3,3 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 13791 St.
  • 1189 St. - stock Köln
  • 12602 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
10+0.012 EUR
100+0.0067 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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