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IRF7201PBF

IRF7201PBF

IRF7201PBF.pdf
Produktcode: 24055
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 7,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 550/19
Bemerkung: -
Montage: SMD
auf Bestellung: 25 St.
  • 25 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRF7201PBF IR

  • MOSFET, N, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:7.3A
  • On State Resistance:0.03ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:30V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:2.5W
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:58A
  • SMD Marking:F7201
  • Voltage Vds:30V
  • Transistor Case Style:SOIC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7201PBF IRF7201PBF ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS18529-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7201PBF - IRF7201 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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IRF7201PBF Infineon Technologies infineon-irf7201-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f13efb1ada description Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC Tube
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7201PBF description IRSDS18529-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF7201PBF
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 71 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC Tube
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Gehäuse: SMB (DO-214AA)
Spitzenleistung, P, W: 600 W
Durchbruchspannung, Vbr: 21,1 V
Sperrspannung, Vrm: 18 В
Leckstrom, Irm: 1 µA
Diodenbauart: Unidirektional
Montage: SMD
auf Bestellung: 3238 St.
  • 3238 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.29 EUR
10+0.25 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
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Anwendung: 2032
Anzahl der Zellen: 1
auf Bestellung: 716 St.
  • 716 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Beschreibung: Stahlmutter verzinkt, Steigung: 0,5мм
Form: Sechskant
Beschichtungsmaterial: Zink
Gewinde: M3
Material: Stahl
verfügbar: 546 St.
  • 546 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1907 St.
  • 1907 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.058 EUR
10+0.031 EUR
100+0.019 EUR
1000+0.014 EUR
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IRF7389PBF
Produktcode: 25148
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description IRF7389PBF.pdf
IRF7389PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 7,3/5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Zwei Transistoren N+P in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 22 St.
  • 22 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.56 EUR
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Schraubendreher 89400-T05H
Produktcode: 24256
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verfügbar: 2 St.
  • 2 St. - stock Köln
auf Bestellung: 55 St.
  • 55 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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