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IRF7204

IRF7204

IRF7204.pdf
Produktcode: 25811
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 5.3
Rds(on),Om: 0.060
/: SMD
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Anzahl Preis
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Technische Details IRF7204 IR

  • MOSFET, P LOGIC SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:P
  • Cont Current Id:5.3A
  • On State Resistance:0.06ohm
  • Case Style:SO-8 (SOIC-8)
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:20V
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:2.5W
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:21A
  • SMD Marking:F7204
  • Voltage Vds:20V
  • Transistor Case Style:SO

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF7204 Hersteller : TECH PUBLIC IRF7204.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 7,5A; 22mOhm; 12V; 3,1W; -50°C~150°C; replacement: TPM30V9NS8; IRF7204; IRF7204TR; IRF7204TR-VB; IRF7204TR-VB; IRF7204TR(UMW); IRF7204 TIRF7204 TEC
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IRF7204 IRF7204 Hersteller : Infineon Technologies IRF7204.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
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Spektrum Pik, nm: 560 nm
Zusätzlich: Потужність 100 мВт; Опір 5... 10 кОм; Темновий опір 1.0 МОм; Монтаж: THT
Тип: Фоторезистор
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description IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 1016 St.:
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Produktcode: 31893
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2sd882.pdf
2SD882P (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: UTC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 80 MHz
Uceo,V: 30
Ucbo,V: 40
Ic,A: 3
h21: 400
ZCODE: THT
verfügbar: 316 St.
60 St. - stock Köln
256 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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100+0.13 EUR
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Produktcode: 31111
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BZX85C.pdf
BZX85-C12
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 12
Istab.direkt,A: 20mA
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -
verfügbar: 576 St.
575 St. - stock Köln
1 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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fT: 450 MHz
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Ic,A: 0,1
h21: 600
ZCODE: THT
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erwartet 50 St.:
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