IRF7204
Produktcode: 25811
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,060 Ohm
Montage: SMD
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF7204 IR
- MOSFET, P LOGIC SO-8
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P
- Cont Current Id:5.3A
- On State Resistance:0.06ohm
- Case Style:SO-8 (SOIC-8)
- Termination Type:SMD
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Voltage Vds:20V
- No. of Pins:8
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:2.5W
- Power Dissipation Pd:2.5W
- Pulse Current Idm:21A
- SMD Marking:F7204
- Voltage Vds:20V
- Transistor Case Style:SO
Weitere Produktangebote IRF7204 nach Preis ab 0.7 EUR bis 0.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF7204 | TECH PUBLIC |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 7,5A; 22mOhm; 12V; 3,1W; -50°C~150°C; replacement: TPM30V9NS8; IRF7204; IRF7204TR; IRF7204TR-VB; IRF7204TR-VB; IRF7204TR(UMW); IRF7204 TIRF7204 TECAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||
| IRF7204 | IR |
SO-8 |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF7204 |
![]() |
Hersteller: TECH PUBLIC
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 7,5A; 22mOhm; 12V; 3,1W; -50°C~150°C; replacement: TPM30V9NS8; IRF7204; IRF7204TR; IRF7204TR-VB; IRF7204TR-VB; IRF7204TR(UMW); IRF7204 TIRF7204 TEC
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 7,5A; 22mOhm; 12V; 3,1W; -50°C~150°C; replacement: TPM30V9NS8; IRF7204; IRF7204TR; IRF7204TR-VB; IRF7204TR-VB; IRF7204TR(UMW); IRF7204 TIRF7204 TEC
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 0.7 EUR |
| IRF7204 |
![]() |
Hersteller: IR
SO-8
SO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Mit diesem Produkt kaufen
| PGM5616D Produktcode: 107663
3
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Token
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Kollektor-Emitter-Spannung Vceo, V: 150 В
Spektrales Maximum, nm: 560 нм
Zusätzlich: Leistung 100 mW; Widerstand 5...10 kOhm; Dunkelwiderstand 1,0 MOhm; Montage: THT
Typ: Fotowiderstand
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Kollektor-Emitter-Spannung Vceo, V: 150 В
Spektrales Maximum, nm: 560 нм
Zusätzlich: Leistung 100 mW; Widerstand 5...10 kOhm; Dunkelwiderstand 1,0 MOhm; Montage: THT
Typ: Fotowiderstand
auf Bestellung 100 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRLU024N Produktcode: 32876
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 480/15
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 480/15
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
auf Bestellung 3770 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.52 EUR |
| 10+ | 0.5 EUR |
| 2SD882P (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 31893
4
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 80 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 40 V
Kollektorstrom Ic, A: 3 A
Stromverstärkung h21: 400
Montage: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 80 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 40 V
Kollektorstrom Ic, A: 3 A
Stromverstärkung h21: 400
Montage: THT
verfügbar: 240 St.
- 60 St. - stock Köln
- 180 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.19 EUR |
| 10+ | 0.18 EUR |
| 100+ | 0.15 EUR |
| BZX85-C12 Produktcode: 31111
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Stabilisierungsspannung Vz, V: 12 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 20 mA
Verlustleistung Pd, W: 1 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: -
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Stabilisierungsspannung Vz, V: 12 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 20 mA
Verlustleistung Pd, W: 1 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: -
verfügbar: 576 St.
- 575 St. - stock Köln
- 1 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.048 EUR |
| 10+ | 0.036 EUR |
| 100+ | 0.032 EUR |
| 1000+ | 0.03 EUR |
| 2SC945 (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 28879
3
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 450 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 600
Montage: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 450 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 600
Montage: THT
auf Bestellung 358 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.048 EUR |
| 10+ | 0.043 EUR |
| 100+ | 0.038 EUR |







