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IRF7301PBF

IRF7301PBF

IRF7301PBF.pdf
Produktcode: 22639
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 5,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 660/20
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 51 St.
  • 51 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details IRF7301PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NN, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual N
  • Typ Voltage Vds:20V
  • Cont Current Id:4.3A
  • On State Resistance:0.05ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
  • Typ Voltage Vgs th:0.7V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max Voltage Vds:20V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:2
  • Pin Configuration:c
  • Pin Format:1 S1
  • 2 G1
  • 3 S2
  • 4 G2
  • 5 D2
  • 6 D2
  • 7 D1
  • 8 D1
  • Power Dissipation:1.4W
  • Power Dissipation Pd:1.4W
  • Pulse Current Idm:17A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7301
  • Transistor Case Style:SOIC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7301PBF International Rectifier/Infineon IRF7301PBF_IR.pdf description 2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,2 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15, Qg, нКл = 20 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 37 Stücke:
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IRF7301PBF description IRF7301PBF_IR.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,2 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15, Qg, нКл = 20 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 65 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,021 Ohm
Montage: THT
auf Bestellung: 24 St.
  • 24 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.12 EUR
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Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,13/0,27 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 680/150 ns
Bemerkung: Halbbrücke
Konfiguration: Halbbrücke
auf Bestellung: 182 St.
  • 182 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.39 EUR
10+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 160 MHz
Spannung Uce, V: 80 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 1,5 A
Stromverstärkung h21, max: 250
verfügbar: 104 St.
  • 104 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1288 St.
  • 1288 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.19 EUR
10+0.18 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
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3300uF 25V EXR 16x31mm (low imp.) (EXR332M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
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3300uF 25V EXR 16x31mm (low imp.) (EXR332M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 3300 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 16x31 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
erwartet: 1000 St.
  • 1000 St. - erwartet 29.08.2026
AnzahlPrivatkunde
1+0.68 EUR
10+0.6 EUR
100+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
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Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2850/117
Montage: THT
auf Bestellung: 51 St.
  • 51 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.82 EUR
10+2.55 EUR
100+2.3 EUR
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