Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRF7301PBF
IRF7301PBF

IRF7301PBF

IRF7301PBF.pdf
Produktcode: 22639
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 5,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 660/20
Bemerkung: Два транзистори в одному корпусі
Montage: SMD
auf Bestellung 54 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF7301PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NN, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual N
  • Typ Voltage Vds:20V
  • Cont Current Id:4.3A
  • On State Resistance:0.05ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
  • Typ Voltage Vgs th:0.7V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max Voltage Vds:20V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:2
  • Pin Configuration:c
  • Pin Format:1 S1
  • 2 G1
  • 3 S2
  • 4 G2
  • 5 D2
  • 6 D2
  • 7 D1
  • 8 D1
  • Power Dissipation:1.4W
  • Power Dissipation Pd:1.4W
  • Pulse Current Idm:17A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7301
  • Transistor Case Style:SOIC

Weitere Produktangebote IRF7301PBF

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7301PBF International Rectifier/Infineon IRF7301PBF_IR.pdf description 2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,2 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15, Qg, нКл = 20 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 37 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301PBF description IRF7301PBF_IR.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,2 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15, Qg, нКл = 20 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 37 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

BD140 (КТ814Г)
Produktcode: 15292
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
BD136,138,140.pdf
BD140 (КТ814Г)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 160 MHz
Spannung Uce, V: 80 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 1,5 A
Stromverstärkung h21, max: 250
verfügbar: 1463 St.
  • 104 St. - stock Köln
  • 1359 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+0.17 EUR
10+0.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3300uF 25V EXR 16x31mm (low imp.) (EXR332M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 13554
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
EXR_080421.pdf
3300uF 25V EXR 16x31mm (low imp.) (EXR332M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 3300 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 16x31 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 15 St.
    erwartet: 1000 St.
    • 1000 St. - erwartet 29.10.2026
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.68 EUR
    10+0.5 EUR
    100+0.44 EUR
    1000+0.4 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFP250 (IRFP250PBF)
    Produktcode: 7938
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		IRFP250.pdf
    IRFP250 (IRFP250PBF)
    Hersteller: ST
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-247
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
    Drain-Strom Idd, A: 33 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2850/117
    Montage: THT
    auf Bestellung 51 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    1+1.26 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF640
    Produktcode: 7926
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		description IRF640.pdf
    IRF640
    Hersteller: Philips
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
    Drain-Strom Idd, A: 18 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/70
    Montage: THT
    Produkt ist nicht verfügbar
    AnzahlPrivatkunde
    1+1.17 EUR
    10+1 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
    Produktcode: 2453
    3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		EXR_080421.pdf
    2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
    2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
    Hersteller: Hitano
    Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
    Kapazität: 2200 µF
    Nennspannung: 50 V
    Reihe: EXR
    Typ: niedrige Impedanz
    Temperaturbereich: -40...+105°C
    Abmessungen: 18x36 mm
    Lebensdauer: 5000 Stunden
    Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
    verfügbar: 12 St.
      erwartet: 1000 St.
      • 1000 St. - erwartet 29.10.2026
      AnzahlPrivatkunde
      1+1.17 EUR
      10+0.96 EUR
      100+0.76 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH