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IRF7413PBF

Name: IRF7413PBF
Brand: IR
SKU: 40660
Price: 0.52 EUR
Availability: InStock

irf7413pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa8e901bb8

Produktcode: 40660

Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 13
Rds(on), Ohm: 01.11.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/52
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD

verfügbar 56 Stück:

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Technische Details IRF7413PBF IR

MOSFET, N, LOGIC, SO-8
Transistor Type:MOSFET
Transistor Polarity:N
Typ Voltage Vds:30V
Cont Current Id:12A
On State Resistance:0.01ohm
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Typ Voltage Vgs th:3V
Case Style:SOIC
Termination Type:SMD
Current Temperature:25`C
External Depth:5.2mm
External Length / Height:1.75mm
External Width:4.05mm
Full Power Rating Temperature:25`C
Max Voltage Vds:30V
Min Junction Temperature, Tj:-55`C
No. of Pins:8
No. of Transistors:1
Pin Configuration:b
Pin Format:1 S
2 S
3 S
4 G
5 D
6 D
7 D
8 D
Power Dissipation:2.5W
Power Dissipation Pd:2.5W
Pulse Current Idm:58A
Row Pitch:6.3mm
SMD Marking:F7413
Transistor Case Style:SOIC

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit
IRF7413(PBF)	Hersteller : IR	SOP8	auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF7413PBF	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V	Produkt ist nicht verfügbar
IRF7413PBF	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 44nC	Produkt ist nicht verfügbar
IRF7413PBF	Hersteller : Infineon (IRF)	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of channel: enhanced	Produkt ist nicht verfügbar

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IRF7416TRPBF
Produktcode: 25625

Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 10
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
/: SMD

verfügbar: 271 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.38 EUR
10+	0.36 EUR
100+	0.31 EUR

IRF7413ZTR
Produktcode: 122875

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 10 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1210/9,5
JHGF: SMD

auf Bestellung 172 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IRFZ24NPBF
Produktcode: 4381

irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT

verfügbar: 1073 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.4 EUR
10+	0.35 EUR
100+	0.28 EUR

L-53P3C
Produktcode: 32244

Hersteller: Kingbright
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Vceo, V: 30
Spektrum Pik, nm: 940
Ic, mA: 12
ton/tof, mks: 3/3
Zusätzlich: Fototransistor, transparent Linse, 5 mm
Тип: Фототранзистор

auf Bestellung 126 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.24 EUR
10+	0.2 EUR
100+	0.13 EUR

MMBT3906
Produktcode: 160583

Hersteller: Yangjie/Hottech
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 250 MHz
U, V: 40 V
U, V: 40 V
I, А: 0,2 A
h21,max: 300

auf Bestellung 1762 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)