IRF7413PBF


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Produktcode: 40660
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 13 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1800/52
Montage: SMD
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Technische Details IRF7413PBF IR

  • MOSFET, N, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:12A
  • On State Resistance:0.01ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:30V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:1
  • Pin Configuration:b
  • Pin Format:1 S
  • 2 S
  • 3 S
  • 4 G
  • 5 D
  • 6 D
  • 7 D
  • 8 D
  • Power Dissipation:2.5W
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:58A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7413
  • Transistor Case Style:SOIC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7413(PBF) IR SOP8
auf Bestellung 82 Stücke:
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IRF7413(PBF)
Hersteller: IR
SOP8
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Kapazität, mAh: 3500 мА·год
Form: zylindrisch
Spannung, V: 3,65 В
Maximaler Entladestrom, A: 10 А
Gewicht, g: 50 г
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Produktcode: 110098
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Verwendungszweck: Messung Voltmeter
Produkttyp: Fertigmodul
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Gewicht/Volumen/Menge: 30 мл
Konsistenz: Flüssig
auf Bestellung: 162 St.
  • 162 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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IRF7341TRPBF
Produktcode: 25204
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description IRF7341.pdf
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 4,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/24
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 224 St.
  • 224 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+1.15 EUR
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