IRF7413PBF
Produktcode: 40660
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 13
Rds(on), Ohm: 01.11.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/52
JHGF: SMD
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.58 EUR |
| 10+ | 0.52 EUR |
| 100+ | 0.44 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF7413PBF IR
- MOSFET, N, LOGIC, SO-8
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:30V
- Cont Current Id:12A
- On State Resistance:0.01ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:3V
- Case Style:SOIC
- Termination Type:SMD
- Current Temperature:25`C
- External Depth:5.2mm
- External Length / Height:1.75mm
- External Width:4.05mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Voltage Vds:30V
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- No. of Pins:8
- No. of Transistors:1
- Pin Configuration:b
- Pin Format:1 S
- 2 S
- 3 S
- 4 G
- 5 D
- 6 D
- 7 D
- 8 D
- Power Dissipation:2.5W
- Power Dissipation Pd:2.5W
- Pulse Current Idm:58A
- Row Pitch:6.3mm
- SMD Marking:F7413
- Transistor Case Style:SOIC
Weitere Produktangebote IRF7413PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7413(PBF) | Hersteller : IR | SOP8 |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
| IRF7413PBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 13, Ciss, пФ @ Uds, В = 1800 @ 25, Qg, нКл = 52 @ 7,3 A, Rds = 18 мО @ 4,5 B, 3,7 A, Ugs(th) = 1...3 @ Vds = Vgs, 250 uA, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
|
IRF7413PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOPackaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
IRF7413PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 44nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
| INR18650/35V EVE 3.5Ah, 3.6V, max10.2A, int ≤0.30mR, 50g, Grade A Produktcode: 194474
27
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: EVE
Akkus > LiIon-Batterien
Technologie: Li-Ion
Größe/Typ: 18650
Kapazität mAh: 3500 mAh
Form: циліндрична
Spannung, V: 3,65 V
Maximale Dauer: 10 A
Gewicht, g: 50 g
Akkus > LiIon-Batterien
Technologie: Li-Ion
Größe/Typ: 18650
Kapazität mAh: 3500 mAh
Form: циліндрична
Spannung, V: 3,65 V
Maximale Dauer: 10 A
Gewicht, g: 50 g
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet:
10000 St.
10000 St. - erwartet 01.06.2026
| Модуль защиты низкого напряжения с вольтметром, VHM-009 Produktcode: 153036
11
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Netzteile und Ladegeräte > Зарядні модулі, балансири та BMS
Beschreibung: Модуль захисту від перерозряду АКБ і підключення високого навантаження. Напруга вхідна від акумулятора:12-36 . Поріг захисного вимкнення вибирається користувачем. Розмір 57х42х16мм
Кількість елементів: 1
Gerätetyp: Зарядний модуль
Beschreibung: Модуль захисту від перерозряду АКБ і підключення високого навантаження. Напруга вхідна від акумулятора:12-36 . Поріг захисного вимкнення вибирається користувачем. Розмір 57х42х16мм
Кількість елементів: 1
Gerätetyp: Зарядний модуль
auf Bestellung 336 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| Digitalvoltmeter (4,5-30V) Produktcode: 110098
31
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Modulare Elemente > Blöcke und Module
BESCHREIBUNG: Digitalvoltmeter einbaubar, Messbereich 4,5-30V
Призначення: Вимірювання вольтметр
Тип виробу: Готовий модуль
BESCHREIBUNG: Digitalvoltmeter einbaubar, Messbereich 4,5-30V
Призначення: Вимірювання вольтметр
Тип виробу: Готовий модуль
auf Bestellung 4535 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| Флюс F1 30мл Produktcode: 92726
5
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Lötgeräte, Lötmaterial > Lötflussmittel
Категорія: Флюс нейтральний
Опис: F-1 має активовані, безкислотні властивості. Активні добавки діють тільки при температурі пайки (але не при звичайному режимі). Має високий залишковий опір після пайки між доріжками, яке становить приблизно 4,5 Мом з кроком 0,5 мм. Не вимагає обов'язкового змивання. Рекомендується змивати у випадках пайки високовольтних, високочастотних, високоомних ланцюгів (бажано використовувати змивку для друкованих плат).
Вага/Об’єм/К-сть: 30 ml
Рідкий
Категорія: Флюс нейтральний
Опис: F-1 має активовані, безкислотні властивості. Активні добавки діють тільки при температурі пайки (але не при звичайному режимі). Має високий залишковий опір після пайки між доріжками, яке становить приблизно 4,5 Мом з кроком 0,5 мм. Не вимагає обов'язкового змивання. Рекомендується змивати у випадках пайки високовольтних, високочастотних, високоомних ланцюгів (бажано використовувати змивку для друкованих плат).
Вага/Об’єм/К-сть: 30 ml
Рідкий
auf Bestellung 34 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.56 EUR |
| IRF7341TRPBF Produktcode: 25204
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Idd,A: 04.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Bem.: 2N
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Idd,A: 04.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 229 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.48 EUR |
| 10+ | 0.44 EUR |






