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IRF7413ZTR

IRF7413ZTR

irf7413zpbf-937492-datasheet.pdf
Produktcode: 122875
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Hersteller: IR
Gehäuse: SOIC-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1210/9,5
Bemerkung: -
Montage: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7413ZTR IRF7413ZTR
Produktcode: 122859
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Infineon irf7413z-dataasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 13 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1210/9,5
Bemerkung: -
Montage: SMD
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IRF7413ZTR IRF7413ZTR Infineon Technologies IRF7413Z.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
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IRF7413ZTR IRF7413ZTR Infineon / IR IRF7413Z.pdf MOSFET
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IRF7413ZTR
Produktcode: 122859
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irf7413z-dataasheet.pdf
IRF7413ZTR
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 13 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1210/9,5
Bemerkung: -
Montage: SMD
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IRF7413ZTR IRF7413Z.pdf
IRF7413ZTR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7413ZTR IRF7413Z.pdf
IRF7413ZTR
Hersteller: Infineon / IR
MOSFET
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IRF7416TRPBF
Produktcode: 25625
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irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/61
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
erwartet: 600 St.
  • 600 St. - erwartet 28.10.2026
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10+0.88 EUR
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IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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infineon-irfz44n-datasheet-en.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
Montage: THT
verfügbar: 25 St.
  • 25 St. - stock Köln
auf Bestellung: 876 St.
  • 876 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.7 EUR
10+0.63 EUR
100+0.52 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551
Produktcode: 200829
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Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf
MMBT5551
Hersteller: Jingdao
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 А
Stromverstärkung h21: 250
Montage: SMD
auf Bestellung: 5970 St.
  • 5970 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+0.055 EUR
39+0.031 EUR
100+0.025 EUR
1000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 22 St.
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220uF 35V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR221M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 2427
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EXR_080421.pdf
220uF 35V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR221M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220 µF
Nennspannung: 35 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x16 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 485 St.
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erwartet: 300 St.
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100+0.12 EUR
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Mindestbestellmenge: 7 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L7805CV
Produktcode: 24792
8 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description L7800 series.pdf
L7805CV
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Eingangsspannung Uin, V: 35 V
Ausgangsspannung Uout, V: 5 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1,5 A
Spannungsabfall Udrop, V: 1,7 V
Ausgangstyp: Fest
Temperaturbereich: 0...125°C
Montage: THT
verfügbar: 118 St.
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auf Bestellung: 2044 St.
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AnzahlPrivatkunde
2+0.62 EUR
10+0.54 EUR
100+0.48 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
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