IRF7420TRPBF
Produktcode: 195254
Hersteller: IRGehäuse: SO-8
Uds,V: 12 V
Id,A: 9,8 A
Rds(on),Om: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3529/38
/: SMD
auf Bestellung 198 Stück:
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Möglichen Substitutionen IRF7420TRPBF IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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IRF7420 Produktcode: 22021 |
Hersteller : IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SO-8 Uds,V: 12 Id,A: 11.5 Rds(on),Om: 0.026 Ciss, pF/Qg, nC: 3529/38 /: SMD |
verfügbar: 24 Stück
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Weitere Produktangebote IRF7420TRPBF nach Preis ab 1.33 EUR bis 1.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IRF7420TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 11.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7420TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 11.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7420TRPBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
MOSFET P-CH 12V 11.5A SOIC-8 |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7420TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 11.5A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7420TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -11.5A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: SO8 Drain-source voltage: -12V Drain current: -11.5A Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7420TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7420TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7420TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT PCh -12V -11.5A 14mOhm 38nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7420TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -11.5A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: SO8 Drain-source voltage: -12V Drain current: -11.5A Type of transistor: P-MOSFET |
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